Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник таблиц УДК
К списку таблиц УДК
621.315.592
Сортировать по: заглавиюдате издания
Статья
Controlling the characteristics of photovoltaic cells based on their own semiconductors
б.г.
ISBN отсутствует
Controlling the characteristics of photovoltaic cells based on their own semiconductors
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой т...
Calculation of static parameters of silicon diode containing δ-layer of triple-charged point defects in symmetric p–n-junction
б.г.
ISBN отсутствует
Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой т...
Calculation of static parameters of silicon diode containing δ-layer of triple-charged point defects in symmetric p–n-junction
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Гацкевич, Елена Ивановна
Влияние лазерно-индуцированных напряжений на зонную структуру тонкопленочного германия
б.г.
ISBN отсутствует
Гацкевич, Елена Ивановна
Влияние лазерно-индуцированных напряжений на зонную структуру тонкопленочного германия
б.г.
ISBN отсутствует
Электронный ресурс
Модифицирование зонной структуры тонкопленочного германия и исследование его оптических и электро...
[б. и.], 2018 г.
ISBN отсутствует
ЧЗ НР
Модифицирование зонной структуры тонкопленочного германия и исследование его оптических и электро...
[б. и.], 2018 г.
ISBN отсутствует
ЧЗ НР
Статья
Колтунович, Т.Н.
Установка для частотной диэлектрической спектроскопии нанокомпозитов и полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Колтунович, Т.Н.
Установка для частотной диэлектрической спектроскопии нанокомпозитов и полупроводников
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Покутний, С.И.
Спектроскопия экситонов в гетероструктурах с квантовыми точками
б.г.
ISBN отсутствует
Покутний, С.И.
Спектроскопия экситонов в гетероструктурах с квантовыми точками
б.г.
ISBN отсутствует
Электронный ресурс
Физические принципы формирования полупроводниковых материалов для создания широкодиапазонных фото...: отчет о НИР (заключительный), ГБ 16-81
[б. и.], 2020 г.
ISBN отсутствует
ЧЗ НР
Физические принципы формирования полупроводниковых материалов для создания широкодиапазонных фото...: отчет о НИР (заключительный), ГБ 16-81
[б. и.], 2020 г.
ISBN отсутствует
ЧЗ НР
Книга (аналит. описание)
Гацкевич, Елена Ивановна
Диффузионные процессы в германий-кремниевых гетероструктурах при импульсных лазерных воздействиях
б.г.
ISBN отсутствует
Гацкевич, Елена Ивановна
Диффузионные процессы в германий-кремниевых гетероструктурах при импульсных лазерных воздействиях
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Жевно, А.Н.
Влияние атомов благородных газов на энергетический спектр дефектов в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Жевно, А.Н.
Влияние атомов благородных газов на энергетический спектр дефектов в полупроводниках
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Гацкевич, Елена Ивановна
Моделирование динамики отражения многослойных систем с движущимися границами
Simulation of reflection dynamics of multilayer systems with moving boundaries
б.г.
ISBN отсутствует
Гацкевич, Елена Ивановна
Моделирование динамики отражения многослойных систем с движущимися границами
Simulation of reflection dynamics of multilayer systems with moving boundaries
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Манего, Сергей Анатольевич
Излучательная рекомбинация в неоднородных твердых растворах галлий-индий-мышьяк
Radiative recombination of inhomogeneous solids solutions of gallium-indium-arsenic
б.г.
ISBN отсутствует
Манего, Сергей Анатольевич
Излучательная рекомбинация в неоднородных твердых растворах галлий-индий-мышьяк
Radiative recombination of inhomogeneous solids solutions of gallium-indium-arsenic
б.г.
ISBN отсутствует
Электронный ресурс
Исследование диэлектрической функции и оптических свойств эпитаксиальных слоев GaN и SiC и кванто...: отчет о НИР (заключительный), № ГР 19981097
[б. и.], 2000 г.
ISBN отсутствует
ЧЗ НР
Исследование диэлектрической функции и оптических свойств эпитаксиальных слоев GaN и SiC и кванто...: отчет о НИР (заключительный), № ГР 19981097
[б. и.], 2000 г.
ISBN отсутствует
ЧЗ НР