Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Чельный, А.А. - Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP
Чельный, А.А. - Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP
Статья
Автор: Чельный, А.А.
Квантовая электроника: Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Чельный, А.А.
Квантовая электроника: Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Чельный, А.А.
Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP / А.А. Чельный, А.В. Алуев, С.В. Маслов // Квантовая электроника / гл. ред. О.Н. Крохин; учредитель Российская академия наук, Физический институт им. П.Н. Лебедева, Российская академия наук, Институт общей физики, Московский инженерно-физический институт, Международный учебно-научный лазерный центр МГУ, НПО "Астрофизика", НИИ лазерной физики, Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт лазерной физики, НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха. – 2004. – T.34 N1. – C.2-4.
621.385.03
общий = ЭМИТТЕРЫ
Чельный, А.А.
Оптимизация легирования эмиттеров в лазерных гетероструктурах AlGaInP/GaInP / А.А. Чельный, А.В. Алуев, С.В. Маслов // Квантовая электроника / гл. ред. О.Н. Крохин; учредитель Российская академия наук, Физический институт им. П.Н. Лебедева, Российская академия наук, Институт общей физики, Московский инженерно-физический институт, Международный учебно-научный лазерный центр МГУ, НПО "Астрофизика", НИИ лазерной физики, Российская академия наук, Сибирское отделение, Институт лазерной физики, НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха. – 2004. – T.34 N1. – C.2-4.
621.385.03
общий = ЭМИТТЕРЫ