Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сычик, Василий Андреевич - Формирование полупроводникового солнечного холодильника
Сычик, Василий Андреевич - Формирование полупроводникового солнечного холодильника
Книга (аналит. описание)
Автор: Сычик, Василий Андреевич
Приборостроение - 2025: Формирование полупроводникового солнечного холодильника
Formation of a semiconductor solar refrigerator
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сычик, Василий Андреевич
Приборостроение - 2025: Формирование полупроводникового солнечного холодильника
Formation of a semiconductor solar refrigerator
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Сычик, Василий Андреевич.
Формирование полупроводникового солнечного холодильника = Formation of a semiconductor solar refrigerator / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение - 2025 = Instrumentation engineering - 2025: материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13—15 ноября 2025 года, Минск, Республика Беларусь / редакционная коллегия: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: БНТУ, 2025. – С. 104-106. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/162758.
Способ изготовления термоэлектрического солнечного холодильника включает формирование термоэлектрического элемента, в котором на поверхность монокристаллической подложки из-за широкозонного полупроводника наносится первый p+-слой, который размещают на металлическом основании, на противоположной поверхности подложки формируют n-слой, на который последовательно наращивают эпитаксиальный i-слой и второй p+-слой, образца p+-i-n-p- p+ - структуру из широкозонного полупроводника и наносят на второй p+-слой электропроводящий просветляющий оптически прозрачный слой.
The method for manufacturing a thermoelectric solar refrigerator includes forming a thermoelectric element in which a first p+ layer is applied to the surface of a single-crystal substrate from a wide-bandgap semiconductor, which is placed on a metal base, an n-layer is formed on the opposite surface of the substrate, onto which an epitaxial i-layer and a second p+ layer are successively grown, of a p+-i-n-p-p+ structure from a wide-bandgap semiconductor, and an electrically conductive, antireflective, optically transparent layer is applied to the second p+ layer.
681.586.67
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2025г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХОЛОДИЛЬНИКИ
общий = ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ
Сычик, Василий Андреевич.
Формирование полупроводникового солнечного холодильника = Formation of a semiconductor solar refrigerator / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение - 2025 = Instrumentation engineering - 2025: материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13—15 ноября 2025 года, Минск, Республика Беларусь / редакционная коллегия: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: БНТУ, 2025. – С. 104-106. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/162758.
Способ изготовления термоэлектрического солнечного холодильника включает формирование термоэлектрического элемента, в котором на поверхность монокристаллической подложки из-за широкозонного полупроводника наносится первый p+-слой, который размещают на металлическом основании, на противоположной поверхности подложки формируют n-слой, на который последовательно наращивают эпитаксиальный i-слой и второй p+-слой, образца p+-i-n-p- p+ - структуру из широкозонного полупроводника и наносят на второй p+-слой электропроводящий просветляющий оптически прозрачный слой.
The method for manufacturing a thermoelectric solar refrigerator includes forming a thermoelectric element in which a first p+ layer is applied to the surface of a single-crystal substrate from a wide-bandgap semiconductor, which is placed on a metal base, an n-layer is formed on the opposite surface of the substrate, onto which an epitaxial i-layer and a second p+ layer are successively grown, of a p+-i-n-p-p+ structure from a wide-bandgap semiconductor, and an electrically conductive, antireflective, optically transparent layer is applied to the second p+ layer.
681.586.67
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2025г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХОЛОДИЛЬНИКИ
общий = ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ

На полку
