Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сычик, Василий Андреевич - Устройство преобразования оптической энергии в электрическую
Сычик, Василий Андреевич - Устройство преобразования оптической энергии в электрическую
Книга (аналит. описание)
Автор: Сычик, Василий Андреевич
Приборостроение - 2025: Устройство преобразования оптической энергии в электрическую
Device for converting optical energy into electrical energy
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сычик, Василий Андреевич
Приборостроение - 2025: Устройство преобразования оптической энергии в электрическую
Device for converting optical energy into electrical energy
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Сычик, Василий Андреевич.
Устройство преобразования оптической энергии в электрическую = Device for converting optical energy into electrical energy / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение - 2025 = Instrumentation engineering - 2025: материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13—15 ноября 2025 года, Минск, Республика Беларусь / редакционная коллегия: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: БНТУ, 2025. – С. 99-101. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/162756.
Преобразователь солнечной энергии в электрическую содержит фоточувствительную p+-p-in+- структуру из широкозонного полупроводника, реализованную в виде совокупности сформированных на расстоянии от 10 до 100 мкм друг от друга столбиков диаметром 50–100 мкм и высотой от 10 до 150 мкм каждый, нижний n+-слой представляет полупроводниковую подложку заданной толщины и электрически соединен с металлическим основанием, а на p+-слой нанесен электропроводящий просветляющий слой, на котором сформирован внешний металлический вывод.
A solar energy to electrical energy converter contains a photosensitive p+-p-i-n+ structure made of a wide-bandgap semiconductor, implemented in the form of a set of columns formed at a distance of 10 to 100 μm from each other, each with a diameter of 50–100 μm and a height of 10 to 150 μm, the lower n+ layer is a semiconductor substrate of a given thickness and is electrically connected to a metal base, and an electrically conductive antireflection layer is applied to the p+ layer, on which an external metal lead is formed.
681.586.5
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2025г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
общий = СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГИЯ
общий = ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Сычик, Василий Андреевич.
Устройство преобразования оптической энергии в электрическую = Device for converting optical energy into electrical energy / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение - 2025 = Instrumentation engineering - 2025: материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13—15 ноября 2025 года, Минск, Республика Беларусь / редакционная коллегия: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: БНТУ, 2025. – С. 99-101. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/162756.
Преобразователь солнечной энергии в электрическую содержит фоточувствительную p+-p-in+- структуру из широкозонного полупроводника, реализованную в виде совокупности сформированных на расстоянии от 10 до 100 мкм друг от друга столбиков диаметром 50–100 мкм и высотой от 10 до 150 мкм каждый, нижний n+-слой представляет полупроводниковую подложку заданной толщины и электрически соединен с металлическим основанием, а на p+-слой нанесен электропроводящий просветляющий слой, на котором сформирован внешний металлический вывод.
A solar energy to electrical energy converter contains a photosensitive p+-p-i-n+ structure made of a wide-bandgap semiconductor, implemented in the form of a set of columns formed at a distance of 10 to 100 μm from each other, each with a diameter of 50–100 μm and a height of 10 to 150 μm, the lower n+ layer is a semiconductor substrate of a given thickness and is electrically connected to a metal base, and an electrically conductive antireflection layer is applied to the p+ layer, on which an external metal lead is formed.
681.586.5
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2025г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
общий = СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГИЯ
общий = ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

На полку
