Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers
Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers
Книга (аналит. описание)
Автор:
Приборостроение - 2024: Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers
Микрочиплазеры на основе кристалла Er,Yb:GdMgB5O10, работающие в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Приборостроение - 2024: Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers
Микрочиплазеры на основе кристалла Er,Yb:GdMgB5O10, работающие в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers = Микрочиплазеры на основе кристалла Er,Yb:GdMgB5O10, работающие в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности / K. N. Gorbachenya, E. A. Volkova, V. V. Maltsev [et al.] // Приборостроение - 2024 = Instrumentation engineering - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: Интегралполиграф, 2024. – P. 302-304. – На англ. яз.
We demonstrate continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers emitting in the spectral range of 1.5–1.6 µm. A maximal output power of 220 mW was obtained at 1568 nm at absorbed pump power of 2.3 W with the slope efficiency of 18 %. By using of MBE-grown Cr:ZnS thin layer as a saturable absorber laser pulses with duration of 24 ns and energy of 3 µJ at the repetition rate of 50 kHz were obtained at the wavelength of 1568 nm.
В работе продемонстрированы выходные характеристики микрочип лазеров на основе кристаллов Er,Yb:GdMgB5O10, работающих в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности в спектральной области 1,5–1,6 мкм. Максимальная выходная мощность 220 мВт получена на длине волны 1568 нм при поглощенной мощности накачки 2,3 Вт и дифференциальной эффективности 18 % непрерывном режиме генерации. При использовании тонкого слоя Cr:ZnS в качестве насыщающегося поглотителя реализован режим пассивной модуляции добротности, получены лазерные импульсы с длительностью 24 нс, энергий 3 мкДж и частотой следования 50 кГц на длине волны 1568 нм.
621.373.8
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Научно-исследовательский политехнический институт (НИПИ) : НИЦ оптических материалов и технологий
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ
общий = ЭРБИЙ
общий = БОРАТЫ
общий = МОДУЛЯЦИЯ ДОБРОТНОСТИ
общий = ЛАЗЕРЫ
общий = ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЛАЗЕРЫ
общий = КРИСТАЛЛЫ
Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers = Микрочиплазеры на основе кристалла Er,Yb:GdMgB5O10, работающие в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности / K. N. Gorbachenya, E. A. Volkova, V. V. Maltsev [et al.] // Приборостроение - 2024 = Instrumentation engineering - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: Интегралполиграф, 2024. – P. 302-304. – На англ. яз.
We demonstrate continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers emitting in the spectral range of 1.5–1.6 µm. A maximal output power of 220 mW was obtained at 1568 nm at absorbed pump power of 2.3 W with the slope efficiency of 18 %. By using of MBE-grown Cr:ZnS thin layer as a saturable absorber laser pulses with duration of 24 ns and energy of 3 µJ at the repetition rate of 50 kHz were obtained at the wavelength of 1568 nm.
В работе продемонстрированы выходные характеристики микрочип лазеров на основе кристаллов Er,Yb:GdMgB5O10, работающих в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности в спектральной области 1,5–1,6 мкм. Максимальная выходная мощность 220 мВт получена на длине волны 1568 нм при поглощенной мощности накачки 2,3 Вт и дифференциальной эффективности 18 % непрерывном режиме генерации. При использовании тонкого слоя Cr:ZnS в качестве насыщающегося поглотителя реализован режим пассивной модуляции добротности, получены лазерные импульсы с длительностью 24 нс, энергий 3 мкДж и частотой следования 50 кГц на длине волны 1568 нм.
621.373.8
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Научно-исследовательский политехнический институт (НИПИ) : НИЦ оптических материалов и технологий
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ
общий = ЭРБИЙ
общий = БОРАТЫ
общий = МОДУЛЯЦИЯ ДОБРОТНОСТИ
общий = ЛАЗЕРЫ
общий = ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЛАЗЕРЫ
общий = КРИСТАЛЛЫ

На полку
