Электронный каталог НБ БНТУ

rus
Научная библиотека БНТУ
Режим работы: Пн-Пт.
- читальные залы с 9:00 до 20:00
- абонементы с 9:00 до 19:00
Сб. с 9:00 до 16:45. Вс. - выходной.
Адреса: г. Минск, ул. Я. Коласа, 16 (читальные залы)
пр. Независимости, 65 (абонементы и читальные залы)

ОНЛАЙН-ЗАКАЗ книг из каталога

ФИЛИАЛЫ

КНИГООБЕСПЕЧЕННОСТЬ

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers

Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers

Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers
Книга (аналит. описание)
Автор:
Приборостроение - 2024: Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers
Микрочиплазеры на основе кристалла Er,Yb:GdMgB5O10, работающие в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности
б.г.
ISBN отсутствует

На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers = Микрочиплазеры на основе кристалла Er,Yb:GdMgB5O10, работающие в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности / K. N. Gorbachenya, E. A. Volkova, V. V. Maltsev [et al.] // Приборостроение - 2024 = Instrumentation engineering - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: Интегралполиграф, 2024. – P. 302-304. – На англ. яз.

We demonstrate continuous wave and passively Q-switched Er,Yb:GdMgB5O10 microchip lasers emitting in the spectral range of 1.5–1.6 µm. A maximal output power of 220 mW was obtained at 1568 nm at absorbed pump power of 2.3 W with the slope efficiency of 18 %. By using of MBE-grown Cr:ZnS thin layer as a saturable absorber laser pulses with duration of 24 ns and energy of 3 µJ at the repetition rate of 50 kHz were obtained at the wavelength of 1568 nm.
В работе продемонстрированы выходные характеристики микрочип лазеров на основе кристаллов Er,Yb:GdMgB5O10, работающих в непрерывном режиме и режиме пассивной модуляции добротности в спектральной области 1,5–1,6 мкм. Максимальная выходная мощность 220 мВт получена на длине волны 1568 нм при поглощенной мощности накачки 2,3 Вт и дифференциальной эффективности 18 % непрерывном режиме генерации. При использовании тонкого слоя Cr:ZnS в качестве насыщающегося поглотителя реализован режим пассивной модуляции добротности, получены лазерные импульсы с длительностью 24 нс, энергий 3 мкДж и частотой следования 50 кГц на длине волны 1568 нм.

621.373.8

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Научно-исследовательский политехнический институт (НИПИ) : НИЦ оптических материалов и технологий
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ЛАЗЕРЫ НА КРИСТАЛЛАХ
общий = ЭРБИЙ
общий = БОРАТЫ
общий = МОДУЛЯЦИЯ ДОБРОТНОСТИ
общий = ЛАЗЕРЫ
общий = ТВЕРДОТЕЛЬНЫЕ ЛАЗЕРЫ
общий = КРИСТАЛЛЫ

Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
Приборостроение - 2024
Нет экз.
Книга

Приборостроение - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь
Instrumentation engineering - 2024
Интегралполиграф, 2024 г.
ISBN 9789855839966

полный текст


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.121