Электронный каталог НБ БНТУ

Книга (аналит. описание)

Францкевич, Анатолий Викторович.
Модификация поверхности пластин кремния в результате обработки в DC плазме водорода: исследование методом комбинационного рассеяния = Surface modification of silicon wafers by hydrogen DC plasma treatment: a raman study / А. В. Францкевич, Н. В. Францкевич, В. А. Мартинович // Приборостроение - 2024 = Instrumentation engineering - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: Интегралполиграф, 2024. – С. 289-290. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/153113.

Введение водорода в кремний – одна из технологических операций, позволяющая улучшить качество микроэлектронных структур. Однако, после введения водорода в зависимости от многих факто-ров в решетке Si могут возникать напряжения растяжениясжатия, формироваться SixHy комплексы. Методом комбинационного рассеяния (КР), регистрируя изменения локальных колебательных мод в спек-тральных диапазонах 521 ±20, 2100 ±100, 4161 ±20 cm–1, можно идентифицировать изменения, произошедшие с поверхностью Si. Пластины Cz-Si p-типа обрабатывались в DC плазме водорода при U = 1, 2,5 и 5 кВ, T = 350 оС, и изучались с использованием метода КР. Проведенные исследования позволили зафиксировать изменение интенсивности и местоположения линий в зависимости от условий плазменной обработки. Кроме этого, возможно, зарегистрирован сигнал от орто-пара молекулы водорода.
Hydrogen introduction into silicon is one of the technological operations that improves the quality of microelectronic structures. However, after hydrogen introduction, depending on many factors, tensile/compressive stresses may arise in the Si lattice, and SixHy complexes may form. Using the Raman scattering (RS) method, recording changes in local vibrational modes in the spectral ranges of 521 ±20, 2100 ±100, 4161 ±20 cm–1, it is possible to identify changes that have occurred with the Si surface. Cz-Si p-type wafers were processed in DC hydrogen plasma at U = 1, 2.5, 5 kV, T = 350 оC, and studied using the Raman method. The studies made it possible to record a change in the intensity and location of lines depending on the plasma processing conditions. In addition, a signal from an ortho-para hydrogen molecule may have been recorded.

621.315.592

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Научно-исследовательский политехнический институт (НИПИ) : НИЛ оптико-электронного приборостроения
труды сотрудников БНТУ = Факультет информационных технологий и робототехники : кафедра "Техническая физика"
труды сотрудников БНТУ = Физика. Механика. Гидравлика (труды)
общий = КРЕМНИЕВЫЕ ПЛАСТИНЫ
общий = КОМБИНАЦИОННОЕ РАССЕЯНИЕ СВЕТА
общий = ИОННО-ПЛАЗМЕННАЯ ОБРАБОТКА
общий = МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИЙ КРЕМНИЙ
общий = МОДИФИЦИРОВАНИЕ ПОВЕРХНОСТЕЙ
общий = ВОДОРОД
общий = ДЕФЕКТЫ