Электронный каталог НБ БНТУ

rus
Научная библиотека БНТУ
Режим работы: Пн-Пт.
- читальные залы с 9:00 до 20:00
- абонементы с 9:00 до 19:00
Сб. с 9:00 до 16:45. Вс. - выходной.
Адреса: г. Минск, ул. Я. Коласа, 16 (читальные залы)
пр. Независимости, 65 (абонементы и читальные залы)

ОНЛАЙН-ЗАКАЗ книг из каталога

ФИЛИАЛЫ

КНИГООБЕСПЕЧЕННОСТЬ

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Сычик, Василий Андреевич - Устройство контроля ионизирующих излучений

Сычик, Василий Андреевич - Устройство контроля ионизирующих излучений

Устройство контроля ионизирующих излучений
Книга (аналит. описание)
Автор:
Сычик, Василий Андреевич
Приборостроение - 2024: Устройство контроля ионизирующих излучений
Ionizing radiation control device
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Сычик, Василий Андреевич.
Устройство контроля ионизирующих излучений = Ionizing radiation control device / В. А. Сычик, В. В. Глухманчук, М. М. Уласюк // Приборостроение - 2024 = Instrumentation engineering - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: Интегралполиграф, 2024. – С. 267-269. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/153102.

Синтезировано устройство контроля ионизирующих излучений на базе полупроводниковой структуры, содержащей полупроводниковое основание, соединенные каналом области стока и истока, на которой размещен слой широкозонного высокоомного полупроводника обратной проводимости. Затвор триединой структуры выполнен p-n гетеропереходом. Устройство обладает высокой чувствительностью к ионизирующим излучениям и низким значением питающего напряжения.
A device for monitoring ionizing radiation has been synthesized based on a semiconductor structure containing a semiconductor base, drain and source regions connected by a channel, on which a layer of wide-band high-resistance semiconductor with reverse conductivity is placed. The gate of the triune structure is made by a p-n heterojunction. The device has high sensitivity to ionizing radiation and a low value of supply voltage.

621.314

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Электротехника (труды)
общий = ИОНИЗИРУЮЩИЕ ИЗЛУЧЕНИЯ
общий = ДАТЧИКИ
общий = ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ДЕТЕКТОРЫ ИОНИЗИРУЮЩИХ ИЗЛУЧЕНИЙ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
Приборостроение - 2024
Нет экз.
Книга

Приборостроение - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь
Instrumentation engineering - 2024
Интегралполиграф, 2024 г.
ISBN 9789855839966

полный текст


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.121