Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Мультипараметрические сенсоры на основе полевого фототранзистора
Мультипараметрические сенсоры на основе полевого фототранзистора
Книга (аналит. описание)
Автор:
Приборостроение - 2024: Мультипараметрические сенсоры на основе полевого фототранзистора
Multi-parametric sensors based on field phototransistor
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Приборостроение - 2024: Мультипараметрические сенсоры на основе полевого фототранзистора
Multi-parametric sensors based on field phototransistor
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Мультипараметрические сенсоры на основе полевого фототранзистора = Multi-parametric sensors based on field phototransistor / К. Л. Тявловский, Р. И. Воробей, О. К. Гусев [и др.] // Приборостроение - 2024 = Instrumentation engineering - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: Интегралполиграф, 2024. – С. 98-100. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/153021.
Описана структура и основные характеристики мультипараметрического сенсора на основе полевого фототранзистора. Применение полупроводников с многозарядной примесью позволяет реализовать качественно новые преобразовательные характеристики.
The structure and basic characteristics of the multi-parametric sensors based on field phototransistor are described. The use of semiconductors with a multi-charged admixture allows you to realize a qualitatively new composition of the transformative characteristics.
621.383
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ФОТОТРАНЗИСТОРЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = СЕНСОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
общий = ДАТЧИКИ
общий = ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
общий = ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
Мультипараметрические сенсоры на основе полевого фототранзистора = Multi-parametric sensors based on field phototransistor / К. Л. Тявловский, Р. И. Воробей, О. К. Гусев [и др.] // Приборостроение - 2024 = Instrumentation engineering - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: Интегралполиграф, 2024. – С. 98-100. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/153021.
Описана структура и основные характеристики мультипараметрического сенсора на основе полевого фототранзистора. Применение полупроводников с многозарядной примесью позволяет реализовать качественно новые преобразовательные характеристики.
The structure and basic characteristics of the multi-parametric sensors based on field phototransistor are described. The use of semiconductors with a multi-charged admixture allows you to realize a qualitatively new composition of the transformative characteristics.
621.383
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ФОТОТРАНЗИСТОРЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = СЕНСОРНЫЕ УСТРОЙСТВА
общий = ДАТЧИКИ
общий = ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
общий = ПРИМЕСНЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ

На полку
