Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Полевой фототранзистор
Полевой фототранзистор
Книга (аналит. описание)
Автор:
Приборостроение - 2024: Полевой фототранзистор
Field phototransistor
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Приборостроение - 2024: Полевой фототранзистор
Field phototransistor
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Полевой фототранзистор = Field phototransistor / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. И. Свистун [и др.] // Приборостроение - 2024 = Instrumentation engineering - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: Интегралполиграф, 2024. – С. 25-26. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/152979.
Описана структура и основные характеристики полевого фототранзистора. Применение полупроводников с многозарядной примесью позволяет реализовать качественно новый состав преобразовательных характеристик, с возможностью их управления дополнительным оптическим управляющим сигналом.
The structure and basic characteristics of the field phototransistor are described. The use of semiconductors with a multi-charged admixture allows you to realize a qualitatively new composition of the transformative characteristics, with the possibility of controlling their additional optical control signal.
621.383.8
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ФОТОТРАНЗИСТОРЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Полевой фототранзистор = Field phototransistor / Р. И. Воробей, О. К. Гусев, А. И. Свистун [и др.] // Приборостроение - 2024 = Instrumentation engineering - 2024: Материалы 17-й Международной научно-технической конференции, 26-29 ноября 2024 года, Минск, Республика Беларусь / редкол.: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: Интегралполиграф, 2024. – С. 25-26. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/152979.
Описана структура и основные характеристики полевого фототранзистора. Применение полупроводников с многозарядной примесью позволяет реализовать качественно новый состав преобразовательных характеристик, с возможностью их управления дополнительным оптическим управляющим сигналом.
The structure and basic characteristics of the field phototransistor are described. The use of semiconductors with a multi-charged admixture allows you to realize a qualitatively new composition of the transformative characteristics, with the possibility of controlling their additional optical control signal.
621.383.8
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ФОТОТРАНЗИСТОРЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ФОТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ

На полку
