Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гацкевич, Елена Ивановна - Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками
Гацкевич, Елена Ивановна - Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками
Книга (аналит. описание)
Автор: Гацкевич, Елена Ивановна
Приборостроение - 2023: Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками
Relaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beams
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гацкевич, Елена Ивановна
Приборостроение - 2023: Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками
Relaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beams
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Гацкевич, Елена Ивановна.
Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками = Relaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beams / Е. И. Гацкевич // Приборостроение - 2023 = Instrumentation engineering ― 2023: материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15―17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2023. – С.211-212. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/138489. – На рус. яз.
Исследовано уравнение теплопроводности, описывающее релаксацию температурного поля, инициируемого облучением полупроводниковых структур интерферирующими пучками импульсного лазера. Найдено аналитическое решение уравнения теплопроводности с периодическим источником, связанным с передачей энергии от электронной подсистемы фононам. Проанализировано влияние релаксационных процессов на фононную температуру.
The thermal conductivity equation describing the relaxation of the temperature field initiated by irradiation of semiconductor structures with interfering beams of a pulsed laser has been studied. An analytical solution of the heat equation with a periodic source associated with the transfer of energy from the electronic subsystem to phonons is found. The influence of relaxation processes on the phonon temperature is analysed.
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2023г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Инженерная математика"
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = УРАВНЕНИЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ
общий = ЛАЗЕРНОЕ ОБЛУЧЕНИЕ
Гацкевич, Елена Ивановна.
Релаксация температурного поля при облучении интерферирующими лазерными пучками = Relaxation of the temperature field under irradiatiom with interfering laser beams / Е. И. Гацкевич // Приборостроение - 2023 = Instrumentation engineering ― 2023: материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15―17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2023. – С.211-212. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/138489. – На рус. яз.
Исследовано уравнение теплопроводности, описывающее релаксацию температурного поля, инициируемого облучением полупроводниковых структур интерферирующими пучками импульсного лазера. Найдено аналитическое решение уравнения теплопроводности с периодическим источником, связанным с передачей энергии от электронной подсистемы фононам. Проанализировано влияние релаксационных процессов на фононную температуру.
The thermal conductivity equation describing the relaxation of the temperature field initiated by irradiation of semiconductor structures with interfering beams of a pulsed laser has been studied. An analytical solution of the heat equation with a periodic source associated with the transfer of energy from the electronic subsystem to phonons is found. The influence of relaxation processes on the phonon temperature is analysed.
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2023г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Инженерная математика"
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = УРАВНЕНИЯ ТЕПЛОПРОВОДНОСТИ
общий = ЛАЗЕРНОЕ ОБЛУЧЕНИЕ