Электронный каталог НБ БНТУ

Книга (аналит. описание)

Сычик, Василий Андреевич.
Полупроводниковый светодиодный элемент = Semiconductor led element / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение - 2023 = Instrumentation engineering ― 2023: материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15―17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2023. – С. 89-90. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/138644.

Полупроводниковый светодиодный элемент, содержащий p- и n-слой, омические контакты к ним, выполнен p-i-n структурой из широкозонного полупроводника с сильнорегированными p+- и n+- слоями толщиной (0,7–0,9)Ld, а толщина i-слоя собственной проводимости равна (1,1–1,6)Ld, где Ld – диффузионная длина носителей заряда.
A semiconductor LED element containing a p- and n-layer, ohmic contacts to them, is made of a p-i-n structure from a wide-gap semiconductor with highly regulated p+- and n+- layers with a thickness of (0.7–0.9)Ld, and the thickness of the i-layer intrinsic conductivity is equal to (1.1–1.6)Ld, where Ld is the diffusion length of charge carriers.

681.586.72

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2023г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ЭЛЕМЕНТЫ
общий = РЕКОМБИНАЦИЯ (физ., хим.)
общий = СВЕТОДИОДЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ