Электронный каталог НБ БНТУ

Книга (аналит. описание)

Сычик, Василий Андреевич.
Термоэлектрический холодильный элемент = Thermoelectric refrigeration element / В. А. Сычик, В. С. Шумило, Н. Н. Уласюк // Приборостроение - 2023 = Instrumentation engineering ― 2023: материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15―17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2023. – С. 83-84. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/138641.

Термоэлектрический холодильный элемент содержит p- и n-полупроводниковые области с омическими контактами, n-p гетероперехода, толщина контактирующей с гетеропереходом n-области составляет (0,5–0,8)L, толщина контактирующей с гетеропереходом p-области составляет (2–5)L, где L – диффузионная длина пробега электронов, причем n-полупроводник является узко зонным, а p-полупроводник – широко зонным.
The thermoelectric refrigeration element contains p- and n-semiconductor regions with ohmic contacts, an n-p heterojunction, the thickness of the n-region in contact with the heterojunction is (0.5–0.8)L, the thickness of the p-region in contact with the heterojunction is (2–5)L, where L is the diffusion travel length of electrons, and the n-semiconductor is narrow-gap, and the p-semiconductor is wide-gap.

621.315.5

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2023г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
общий = СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
общий = ПОДЛОЖКИ