Электронный каталог НБ БНТУ

rus
Научная библиотека БНТУ
Режим работы: Пн-Пт.
- читальные залы с 9:00 до 20:00
- абонементы с 9:00 до 19:00
Сб. с 9:00 до 16:45. Вс. - выходной.
Адреса: г. Минск, ул. Я. Коласа, 16 (читальные залы)
пр. Независимости, 65 (абонементы и читальные залы)

ОНЛАЙН-ЗАКАЗ книг из каталога

ФИЛИАЛЫ

КНИГООБЕСПЕЧЕННОСТЬ

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Гусев, Олег Константинович - Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании

Гусев, Олег Константинович - Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании

Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании
Книга (аналит. описание)
Автор:
Гусев, Олег Константинович
Приборостроение - 2023: Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Гусев, Олег Константинович.
Введение примеси-присадки в эпитаксиальный слой при твердофазном легировании / Олег Константинович Гусев, Роман Иванович Воробей, Константин Леонидович Тявловский, Людмила Иосифовна Шадурская // Приборостроение - 2023 = Instrumentation engineering ― 2023: материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15―17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2023. – С. 45-46. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/138604. – На рус. яз.

Предлагается комбинированный способ легирования эпитаксиального слоя в процессе его выращивания, заключающийся в введении дополнительной примеси. По отношению к свойствам основной примеси дополнительная примесь должна вызывать противоположное по знаку изменение периода решетки матрицы. Использование комбинированного легирования уменьшает напряжение несоответствия периодов решетки кристалла и плотность дислокаций несоответствия.
The proposed combined method of doping the epitaxial layer in the course of its growing consists of introduction of additional impurity during the process. As to the properties of the main impurities, an additional admixture should cause the opposite sign of change in the lattice period. The use of combined doping reduces tensions caused by non-compliance of the crystal lattice periods and the density of non-compliance dislocations.

621.382:669.046.516.2

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2023г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ЛЕГИРОВАНИЕ
общий = ЭПИТАКСИЯ
общий = КРЕМНИЙ
общий = ПОКРЫТИЯ (материалы)

Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
Приборостроение - 2023
Доступно
 2 из 3
Книга

Приборостроение - 2023: материалы 16-й Международной научно-технической конференции, 15―17 ноября 2023 года, Минск, Республика Беларусь
Instrumentation engineering ― 2023
БНТУ, 2023 г.
ISBN 9789855839966
ОХОФ, ЧЗ НР, Выставка Трудов работников БНТУ
1
2
3
4
5

полный текст


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.121