Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Родионов, Ю.А. - Технологические процессы в микро- и наноэлектронике
Родионов, Ю.А. - Технологические процессы в микро- и наноэлектронике
Книга
Автор: Родионов, Ю.А.
Технологические процессы в микро- и наноэлектронике : учебное пособие
Издательство: Инфра-Инженерия, 2019 г.
ISBN 9785972903375
Автор: Родионов, Ю.А.
Технологические процессы в микро- и наноэлектронике : учебное пособие
Издательство: Инфра-Инженерия, 2019 г.
ISBN 9785972903375
Заказать 
На полку
Книга
621.3 Р60
Родионов, Ю.А.
Технологические процессы в микро- и наноэлектронике: учебное пособие / Ю. А. Родионов. – Москва ; Вологда: Инфра-Инженерия, 2019. – 350 с.: ил., цв. ил., схемы. - Содерж.: Твердотельные ИМС ; Входной контроль полупроводниковых слитков ; Механическая обработка слитка ; Химподготовка поверхности подложки после механической обработки ; Высокотемпературное создание технологического слоя ; Кремний - основа твердотельной электроники ; Создание высокотемпературного оксида кремния ; Окисление кремния при комнатной температуре ; Физический механизм роста окисла при высокой температуре ; Модель Дила-Гроува ; Методы контроля параметров диэлектрических слоёв ; Контроль дефектности плёнок ; Создание газофазного эпитаксиального слоя кремния ; Хлоридный метод ; Пиролиз моносилана ; Гетероэпитаксия кремния на диэлектрических подложках ; Перераспределение примеси при эпитаксии ; Создание термодиффузионного слоя кремния ; Механизмы диффузии примесей ; Контроль параметров диффузионных слоёв ; Низкотемпературные вакуумно-плазменные технологии и оборудование для создания технологических слоёв ; Элементы физики плазмы ; Элементы физики вакуума ; Наиболее востребованные средства откачки в микроэлектронной промышленности ; Вакуумная арматура и комплектация ; Датчики вакуума ; Молекулярно-лучевая эпитаксия ; Ионное легирование полупроводников ; Плазмохимическое травление кремния ; Анизотропия и селективность ; Осаждение диэлектрических плёнок на кремний ; Осаждение диоксида кремния ; Осаждение нитрида кремния ; Осаждение алмазоподобных плёнок ; Создание сверхтонкой мембраны ; Технология литографических процессов ; Основные свойства и состав фоторезистов ; Производственная схема фотолитографического процесса ; Подробно об экспонировании ; Основные оптические эффекты, вызывающие ухудшение рисунка ; Иммерсионная литография ; Взрывная литография ; Электронно-лучевая литография ; Рентгеновская литография ; Электронорезисты ; Нанопринтная литография ; Экстремальная ультрафиолетовая литография (EUVL) ; LIGA-процесс ; Металлизация ; Свойства плёнок алюминия ; Электродиффузия в плёнках алюминия ; Методы получения металлических плёнок ; Создание омических контактов ; Использование силицидов металлов ; Контактные узлы ; Основные технологические процессы сборки интегральных схем в корпус ; Основные конструкции корпусов ИМС ; Упрощённый маршрут изготовления микроэлектронного акселерометра ; Требования к оборудованию в технологии микро- и наноэлектроники ; Экологические проблемы в технологии микро- и наноэлектроники. - ISBN 9785972903375: 43.00.
Рассмотрены основные положения физики твёрдого тела и физической химии полупроводников. Основное внимание уделено технологии, соответствующему оборудованию и оснастке, используемым для получения технологического слоя. Приводятся конкретные примеры решения обратных задач по определению технологических режимов получения слоёв с заданными параметрами. Освещены регламентные работы в промышленном производстве. Рассмотрены основные экологические проблемы в промышленных технологиях.
ГРНТИ 47.13.11
ГРНТИ 47.13.07
ГРНТИ 47.01.33
621.382.049.77-027.3(075.8)
621.38-022.532-027.3(075.8)
общий = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
общий = НАНОЭЛЕКТРОНИКА
общий = ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
общий = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
общий = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ
общий = ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
общий = ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
общий = ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
общий = ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ОБРАБОТКА
общий = ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫЕ ПОКРЫТИЯ
общий = МИКРОЛИТОГРАФИЯ
общий = МЕТАЛЛИЗАЦИЯ
общий = ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
621.3 Р60
Родионов, Ю.А.
Технологические процессы в микро- и наноэлектронике: учебное пособие / Ю. А. Родионов. – Москва ; Вологда: Инфра-Инженерия, 2019. – 350 с.: ил., цв. ил., схемы. - Содерж.: Твердотельные ИМС ; Входной контроль полупроводниковых слитков ; Механическая обработка слитка ; Химподготовка поверхности подложки после механической обработки ; Высокотемпературное создание технологического слоя ; Кремний - основа твердотельной электроники ; Создание высокотемпературного оксида кремния ; Окисление кремния при комнатной температуре ; Физический механизм роста окисла при высокой температуре ; Модель Дила-Гроува ; Методы контроля параметров диэлектрических слоёв ; Контроль дефектности плёнок ; Создание газофазного эпитаксиального слоя кремния ; Хлоридный метод ; Пиролиз моносилана ; Гетероэпитаксия кремния на диэлектрических подложках ; Перераспределение примеси при эпитаксии ; Создание термодиффузионного слоя кремния ; Механизмы диффузии примесей ; Контроль параметров диффузионных слоёв ; Низкотемпературные вакуумно-плазменные технологии и оборудование для создания технологических слоёв ; Элементы физики плазмы ; Элементы физики вакуума ; Наиболее востребованные средства откачки в микроэлектронной промышленности ; Вакуумная арматура и комплектация ; Датчики вакуума ; Молекулярно-лучевая эпитаксия ; Ионное легирование полупроводников ; Плазмохимическое травление кремния ; Анизотропия и селективность ; Осаждение диэлектрических плёнок на кремний ; Осаждение диоксида кремния ; Осаждение нитрида кремния ; Осаждение алмазоподобных плёнок ; Создание сверхтонкой мембраны ; Технология литографических процессов ; Основные свойства и состав фоторезистов ; Производственная схема фотолитографического процесса ; Подробно об экспонировании ; Основные оптические эффекты, вызывающие ухудшение рисунка ; Иммерсионная литография ; Взрывная литография ; Электронно-лучевая литография ; Рентгеновская литография ; Электронорезисты ; Нанопринтная литография ; Экстремальная ультрафиолетовая литография (EUVL) ; LIGA-процесс ; Металлизация ; Свойства плёнок алюминия ; Электродиффузия в плёнках алюминия ; Методы получения металлических плёнок ; Создание омических контактов ; Использование силицидов металлов ; Контактные узлы ; Основные технологические процессы сборки интегральных схем в корпус ; Основные конструкции корпусов ИМС ; Упрощённый маршрут изготовления микроэлектронного акселерометра ; Требования к оборудованию в технологии микро- и наноэлектроники ; Экологические проблемы в технологии микро- и наноэлектроники. - ISBN 9785972903375: 43.00.
Рассмотрены основные положения физики твёрдого тела и физической химии полупроводников. Основное внимание уделено технологии, соответствующему оборудованию и оснастке, используемым для получения технологического слоя. Приводятся конкретные примеры решения обратных задач по определению технологических режимов получения слоёв с заданными параметрами. Освещены регламентные работы в промышленном производстве. Рассмотрены основные экологические проблемы в промышленных технологиях.
ГРНТИ 47.13.11
ГРНТИ 47.13.07
ГРНТИ 47.01.33
621.382.049.77-027.3(075.8)
621.38-022.532-027.3(075.8)
общий = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
общий = НАНОЭЛЕКТРОНИКА
общий = ЭЛЕКТРОННЫЕ ТЕХНОЛОГИИ
общий = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
общий = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ РЕЖИМЫ
общий = ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
общий = ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
общий = ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
общий = ВЫСОКОТЕМПЕРАТУРНАЯ ОБРАБОТКА
общий = ВАКУУМНО-ПЛАЗМЕННЫЕ ПОКРЫТИЯ
общий = МИКРОЛИТОГРАФИЯ
общий = МЕТАЛЛИЗАЦИЯ
общий = ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА