Электронный каталог НБ БНТУ

Книга (аналит. описание)

Бринкевич, Д.И.
Особенности имплантации ионов Р , В И Sb в пленки позитивного фоторезиста ФП9120 на кремнии = Features of implantation of Р+, В+ AND Sb+ ions into films of FP9120 positive photoresist on silicon / Д. И. Бринкевич, В. С. Просолович, В. В. Черный // Приборостроение - 2021 = Instrumentation engineering ― 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2021. – С. 258-260. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/109526. – На рус. яз.

Методом ИК-Фурье спектроскопии нарушенного полного внутреннего отражения (НПВО) исследованы пленки диазохинон-новолачного фоторезиста ФП9120 толщиной 1,8–5,0 мкм, имплантиро- ванные ионами B+, Р+ и Sb+ c энергией 60 кэВ в интервале доз 5*10^14–6*10^17 cм-2. Рассмотрены различные механизмы радиационно-индуцированной модификации структурных и оптических свойств пленок ДХН-резистов за областью пробега ионов, обусловленные электронным и ядерным механизмами торможения ионов.
Diazoquinone-novolac photoresist films with 1,8–5,0 μm thick, implanted with B+, P+, and Sb+ ions with an energy of 60 keV in the dose range 5*10^14–6* 10^17 cm-2 were investigated. Various mechanisms of radiation- induced modification of the structural and optical properties of resist films beyond the ion path region, caused by the electronic and nuclear mechanisms of ion inhibition, were considered.

621.382:537.5

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2021г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Экспериментальная и теоретическая физика"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
общий = АДГЕЗИЯ
общий = ФОТОРЕЗИСТЫ
общий = КРЕМНИЙ