Электронный каталог НБ БНТУ

rus
Научная библиотека БНТУ
Режим работы: Пн-Пт.
- читальные залы с 9:00 до 20:00
- абонементы с 9:00 до 19:00
Сб. с 9:00 до 16:45. Вс. - выходной.
Адреса: г. Минск, ул. Я. Коласа, 16 (читальные залы)
пр. Независимости, 65 (абонементы и читальные залы)

ОНЛАЙН-ЗАКАЗ книг из каталога

ФИЛИАЛЫ

КНИГООБЕСПЕЧЕННОСТЬ

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Сопряков, Виталий Иванович - Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах

Сопряков, Виталий Иванович - Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах

Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах
Книга (аналит. описание)
Автор:
Сопряков, Виталий Иванович
Приборостроение - 2021: Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах
Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст

На полку На полку


Книга (аналит. описание)

Сопряков, Виталий Иванович.
Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах = Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures / В. И. Сопряков, К. Ч. Головня // Приборостроение - 2021 = Instrumentation engineering ― 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2021. – С. 129-130. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/109686. – На рус. яз.

Предложен фотоемкостной метод, позволяющий контролировать параметры ловушек неосновных и основных носителей заряда в полупроводниковых структурах с малым временем жизни (1–30 нс). Метод основан на перезарядке глубоких уровней импульсным фототоком и измерении кривых релаксации высокочастотной емкости.
A photocapacitive method is proposed that makes it possible to control the parameters of traps of minority and major charge carriers in semiconductor structures with a short lifetime (1–30 ns). The method is based on recharging deep levels by a pulsed photocurrent and measuring the relaxation curves of high-frequency capacitance.

621.382

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2021г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
общий = ПРИМЕСИ
общий = ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА

Привязано к:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
Приборостроение - 2021
Доступно
 5 из 5
Книга

Приборостроение - 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь
Instrumentation engineering ― 2021
БНТУ, 2021 г.
ISBN 9789855837207
ОХОФ, ОНЛ, ОРиЦИ, ЧЗ НР

полный текст


На полку На полку


© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.121