Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сопряков, Виталий Иванович - Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах
Сопряков, Виталий Иванович - Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах
Книга (аналит. описание)
Автор: Сопряков, Виталий Иванович
Приборостроение - 2021: Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах
Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сопряков, Виталий Иванович
Приборостроение - 2021: Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах
Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Сопряков, Виталий Иванович.
Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах = Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures / В. И. Сопряков, К. Ч. Головня // Приборостроение - 2021 = Instrumentation engineering ― 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2021. – С. 129-130. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/109686. – На рус. яз.
Предложен фотоемкостной метод, позволяющий контролировать параметры ловушек неосновных и основных носителей заряда в полупроводниковых структурах с малым временем жизни (1–30 нс). Метод основан на перезарядке глубоких уровней импульсным фототоком и измерении кривых релаксации высокочастотной емкости.
A photocapacitive method is proposed that makes it possible to control the parameters of traps of minority and major charge carriers in semiconductor structures with a short lifetime (1–30 ns). The method is based on recharging deep levels by a pulsed photocurrent and measuring the relaxation curves of high-frequency capacitance.
621.382
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2021г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
общий = ПРИМЕСИ
общий = ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
Сопряков, Виталий Иванович.
Фотоемкостной метод контроля параметров примесей и дефектов в полупроводниковых структурах = Photocapacitive method for monitoring the parameters of impurities and defects in semiconductor structures / В. И. Сопряков, К. Ч. Головня // Приборостроение - 2021 = Instrumentation engineering ― 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2021. – С. 129-130. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/109686. – На рус. яз.
Предложен фотоемкостной метод, позволяющий контролировать параметры ловушек неосновных и основных носителей заряда в полупроводниковых структурах с малым временем жизни (1–30 нс). Метод основан на перезарядке глубоких уровней импульсным фототоком и измерении кривых релаксации высокочастотной емкости.
A photocapacitive method is proposed that makes it possible to control the parameters of traps of minority and major charge carriers in semiconductor structures with a short lifetime (1–30 ns). The method is based on recharging deep levels by a pulsed photocurrent and measuring the relaxation curves of high-frequency capacitance.
621.382
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2021г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
общий = ПРИМЕСИ
общий = ВЫСОКОЧАСТОТНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА