Электронный каталог НБ БНТУ

Книга (аналит. описание)

Воробей, Роман Иванович.
Способ формирования геттерирующего скрытого слоя = Method of formation of the gettering latent layer / Р. И. Воробей [и др.] // Приборостроение - 2021 = Instrumentation engineering ― 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2021. – С. 47-48. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/109630. – На рус. яз.

Рассмотрен способ формирования геттерирующего слоя в составе транзисторной структуры интегральной схемы. Для введения вольфрама в качестве геттерирующей примеси предлагается использовать метод газоразрядного легирования в режиме тлеющего разряда или интенсификацию процесса методом лазерного распыления материала мишени.
The method of formation of a gettering layer as a part of transistor structure of the integrated circuit is considered. For introduction of tungsten as a gettering impurity it is offered to use a method of gas-discharge alloying in a mode of decaying discharge or an intensification of process by a method of a laser pulverization of a material of a target.

621.382.33

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2021г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
общий = ЭПИТАКСИЯ
общий = ГЕТТЕРИРОВАНИЕ
общий = ЛЕГИРОВАНИЕ