Электронный каталог НБ БНТУ

Книга (аналит. описание)

Исследования изменений теплового сопротивления мощных МОП транзисторов при термоиспытаниях = Studies of changes in thermal resistance of high-power mosfets during thermal tests / Ю. А. Бумай [и др.] // Материалы и структуры современной электроники: материалы VIII Международной научной конференции, Минск, 10-12 октября 2018 г. / редкол.: В. Б. Оджаев [и др.]. – Минск: БГУ, 2018. – С. 26-29. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/144676. - Книги нет в фонде библиотеки. – На рус. яз.

Методом тепловой релаксационной дифференциальной спектрометрии исследованы структура теплового сопротивления, а также профили растекания теплового потока мощных импортных МОП транзисторов (аналогов транзисторов КП7209, КП7128 производства ОАО Интеграл), в различных корпусах (ТО-220, ТО-252) с различными размерами кристалла. Для испытания надежности транзисторы были подвергнуты сериям по 100 термоударов в интервале температур от -196 до +200°С. Обнаружено, что основные изменения теплового сопротивления происходят в области посадки кристаллов транзисторов. Наименьшую надежность проявили транзисторы в корпусе для поверхностного монтажа ТО-252.

621.382.3

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2018г.
труды сотрудников БНТУ = Научно-исследовательский политехнический институт (НИПИ) : Инновационно-производственный центр медицинского оборудования и изделий
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Экспериментальная и теоретическая физика"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ИССЛЕДОВАНИЯ
общий = ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
общий = ПОЛЕВЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ С ИЗОЛИРОВАННЫМ ЗАТВОРОМ