Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски
Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски
Статья
Автор:
Квантовая электроника: Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски
A flashlamp-pumped LiF crystal laser with stable F2+ color centers
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Квантовая электроника: Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски
A flashlamp-pumped LiF crystal laser with stable F2+ color centers
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски = A flashlamp-pumped LiF crystal laser with stable F2+ color centers / Н. А. Иванов [и др.] // Квантовая электроника / гл. ред. Н.Г. Басов; кол. авт. Академия наук СССР. – 1986. – Т.13 №11. – С. 2328-2330. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/72974. – На рус. яз.
Впервые излучением импульсных ламп возбуждена генерация в лазере на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски. Для двух типов кристаллов, различающихся технологией выращивания и методом окрашивания, пороги генерации составили ~80 Дж, максимальные энергии импульса генерации ~10 мДж, длительности импульса 12мкс; диапазоны перестройки длины волны были 0,89—1,03 и 0,90—0,99мкм. После тысячи импульсов эффективность генерации практически не изменилась.
621.373.8
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2005г.
труды сотрудников БНТУ = Научно-исследовательский политехнический институт (НИПИ) : НИЦ оптических материалов и технологий
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = НАКАЧКА
общий = ЛАЗЕРЫ
общий = ЛАЗЕРНАЯ ГЕНЕРАЦИЯ
Лазер с ламповой накачкой на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски = A flashlamp-pumped LiF crystal laser with stable F2+ color centers / Н. А. Иванов [и др.] // Квантовая электроника / гл. ред. Н.Г. Басов; кол. авт. Академия наук СССР. – 1986. – Т.13 №11. – С. 2328-2330. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/72974. – На рус. яз.
Впервые излучением импульсных ламп возбуждена генерация в лазере на кристалле LiF со стабильными F2+ - центрами окраски. Для двух типов кристаллов, различающихся технологией выращивания и методом окрашивания, пороги генерации составили ~80 Дж, максимальные энергии импульса генерации ~10 мДж, длительности импульса 12мкс; диапазоны перестройки длины волны были 0,89—1,03 и 0,90—0,99мкм. После тысячи импульсов эффективность генерации практически не изменилась.
621.373.8
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2005г.
труды сотрудников БНТУ = Научно-исследовательский политехнический институт (НИПИ) : НИЦ оптических материалов и технологий
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = НАКАЧКА
общий = ЛАЗЕРЫ
общий = ЛАЗЕРНАЯ ГЕНЕРАЦИЯ
