Электронный каталог НБ БНТУ

Статья

Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме методом импедансной спектроскопии = Controlling of Differential Resistance of p–n-Junctions of Bipolar Transistor in Active Mode by Method of Impedance Spectroscopy / Н. И. Горбачук [и др.]. – DOI 10.21122/2220-9506-2019-10-3-253-262 // Приборы и методы измерений / гл. ред. Олег Константинович Гусев; учредитель Белорусский национальный технический университет (Минск). – 2019. – Т.10 №3. – С. 253-262. – Режим доступа : http://rep.bntu.by/handle/data/57100. – На рус. яз.

Контроль параметров готовых транзисторов и межоперационный контроль при их изготовлении являются необходимыми условия выпуска конкурентоспособных изделий электронной промышленности. Традиционно для контроля биполярных транзисторов используются измерения на постоянном токе и регистрация вольт-фарадных характеристик. Проведение измерений на переменном токе позволит получить дополнительную информацию о параметрах биполярных транзисторов. Цель работы – показать возможности метода импедансной спектроскопии для контроля дифференциального электрического сопротивления p–n-переходов биполярного p–n–p-транзистора в активном режиме. Методом импедансной спектроскопии исследован p–n–p-транзистор КТ814Г производства ОАО «ИНТЕГРАЛ». На переменном токе в интервале частот 20 Hz–30 MHz определены значения дифференциального электрического сопротивления и емкости p–n-переходов база–эмиттера и база–коллектора при постоянных токах базы от 0,8 до 46 μA. Результаты работы могут быть использованы при отработке методик выходного контроля дискретных биполярных полупроводниковых приборов.

621.382.33

общий = БД Техника
общий = ИМПЕДАНСНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ
общий = ТРАНЗИСТОРЫ
общий = НЕРАВНОВЕСНЫЕ СРЕДЫ
общий = ЭЛЕКТРИЧЕСКОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ