Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Сенько, С.Ф. - Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах
Сенько, С.Ф. - Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах
Статья
Автор: Сенько, С.Ф.
Приборы и методы измерений: Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах
Control of local stress in semiconductor silicon structures
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Сенько, С.Ф.
Приборы и методы измерений: Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах
Control of local stress in semiconductor silicon structures
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Сенько, С.Ф.
Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах = Control of local stress in semiconductor silicon structures / С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин. – DOI 10.21122/2220-9506-2018-9-3-254-262 // Приборы и методы измерений. – 2018. – Т.9 №3. – С. 254-262. – Режим доступа : http://rep.bntu.by/handle/data/47617. – На рус. яз.
Распределение остаточных напряжений в многослойной полупроводниковой структуре носит сложный характер и оказывает существенное влияние на характеристики и выход годных приборов. В связи с этим их исследование является одной из актуальных задач современного приборостроения. Цель настоящей работы заключалась в разработке методов оценки фактического распределения остаточных напряжений как по площади полупроводниковой структуры, так и в ее элементах. Оценку распределения остаточных напряжений по площади структуры проводили на основе определения локальной деформации отдельных участков этой структуры методом оптической топографии. В основу методики положено последовательное измерение интенсивности элементов светотеневого изображения структуры вдоль выбранного направления с последующим расчетом микрогеометрического профиля и радиуса кривизны. Оценку остаточных напряжений в топологических элементах системы Si–SiO₂ проводили путем расчета интерференционных картин, полученных в зазоре пленка−подложка после отделения края пленки от подложки по периметру вскрытого окна. С привлечением метода конечных элементов получены аналитические выражения, связывающие характеристики изображений полупроводниковых структур с величиной их деформации, что позволяет с привлечением известных соотношений вычислить локальные механические напряжения выбранного участка структуры. Приведены примеры расчета реальных структур. Предложенные методики расчета остаточных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах позволяют учитывать характер и форму изгиба подложек, а также оценить их величину в топологических элементах реальных полупроводниковых приборов.
Residual stress distribution in multilayer semiconductor structure is complicated and has a significant impact on device characteristics and yield, therefore their study is one of the actual tasks of modern device engineering. Purpose of the present work was to develop methods of estimation of actual residual stress distribution at the whole area of semiconductor structure and its elements as well. The estimation of residual stress distribution at the area of semiconductor structure was carried out on the basis of determining of local deformation of some areas of the structure by Makyoh topography. This method is based on consequent measurements of intensity of Makyoh image elements of the structure along the chosen direction followed by calculation of micro-geometrical profile and curvature radius. The estimation of residual stress of topological elements Si-SiO₂ system was carried out by means of calculation of interference pictures obtained in a film-substrate gap after separating of film edge from substrate along open window perimeter. Analytical expressions relating semiconductor structure image characteristics with their deformation were developed by means of finite elements method. The expressions allow determining of local residual stress of chosen area of the structure. The examples of stress calculations in real structures are given. Proposed residual stress calculation methods allow to take into consideration character and curvature form of substrate, and also to estimate their magnitude in real topological elements of semiconductor circuits.
621.382
общий = БД Техника
общий = ОСТАТОЧНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
Сенько, С.Ф.
Измерение локальных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах = Control of local stress in semiconductor silicon structures / С. Ф. Сенько, В. А. Зеленин. – DOI 10.21122/2220-9506-2018-9-3-254-262 // Приборы и методы измерений. – 2018. – Т.9 №3. – С. 254-262. – Режим доступа : http://rep.bntu.by/handle/data/47617. – На рус. яз.
Распределение остаточных напряжений в многослойной полупроводниковой структуре носит сложный характер и оказывает существенное влияние на характеристики и выход годных приборов. В связи с этим их исследование является одной из актуальных задач современного приборостроения. Цель настоящей работы заключалась в разработке методов оценки фактического распределения остаточных напряжений как по площади полупроводниковой структуры, так и в ее элементах. Оценку распределения остаточных напряжений по площади структуры проводили на основе определения локальной деформации отдельных участков этой структуры методом оптической топографии. В основу методики положено последовательное измерение интенсивности элементов светотеневого изображения структуры вдоль выбранного направления с последующим расчетом микрогеометрического профиля и радиуса кривизны. Оценку остаточных напряжений в топологических элементах системы Si–SiO₂ проводили путем расчета интерференционных картин, полученных в зазоре пленка−подложка после отделения края пленки от подложки по периметру вскрытого окна. С привлечением метода конечных элементов получены аналитические выражения, связывающие характеристики изображений полупроводниковых структур с величиной их деформации, что позволяет с привлечением известных соотношений вычислить локальные механические напряжения выбранного участка структуры. Приведены примеры расчета реальных структур. Предложенные методики расчета остаточных напряжений в полупроводниковых кремниевых структурах позволяют учитывать характер и форму изгиба подложек, а также оценить их величину в топологических элементах реальных полупроводниковых приборов.
Residual stress distribution in multilayer semiconductor structure is complicated and has a significant impact on device characteristics and yield, therefore their study is one of the actual tasks of modern device engineering. Purpose of the present work was to develop methods of estimation of actual residual stress distribution at the whole area of semiconductor structure and its elements as well. The estimation of residual stress distribution at the area of semiconductor structure was carried out on the basis of determining of local deformation of some areas of the structure by Makyoh topography. This method is based on consequent measurements of intensity of Makyoh image elements of the structure along the chosen direction followed by calculation of micro-geometrical profile and curvature radius. The estimation of residual stress of topological elements Si-SiO₂ system was carried out by means of calculation of interference pictures obtained in a film-substrate gap after separating of film edge from substrate along open window perimeter. Analytical expressions relating semiconductor structure image characteristics with their deformation were developed by means of finite elements method. The expressions allow determining of local residual stress of chosen area of the structure. The examples of stress calculations in real structures are given. Proposed residual stress calculation methods allow to take into consideration character and curvature form of substrate, and also to estimate their magnitude in real topological elements of semiconductor circuits.
621.382
общий = БД Техника
общий = ОСТАТОЧНЫЕ НАПРЯЖЕНИЯ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СТРУКТУРЫ
