Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range
Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range
Статья
Автор:
Przeglad Elektrotechniczny: Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Przeglad Elektrotechniczny: Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range / R. I. Vorobey [et al.]. – DOI 10.12915/pe.2014.05.16 // Przeglad Elektrotechniczny. – 2014. – Vol.90 №5. – P. 75-78. – Режим доступа : http://rep.bntu.by/handle/data/17688. - Журнала нет в фонде библиотеки. – Пер. загл.: [Фотоэлектрические полупроводниковые преобразователи с большим динамическим диапазоном]. – На англ. яз.
Semiconductors with deep multiply charged impurity are proposed as a basis for photodetectors with a large dynamic range of sensitivity. The model of recombination processes is used to develop photodetectors with extended dynamic range and functionality. It is shown that the use of such structures can significantly extend the dynamic range and sensitivity resulting in new functional properties of photodetectors with a simple structure.
621.383.8
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2014г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
Photoelectric semiconductor converters with a large dynamic range / R. I. Vorobey [et al.]. – DOI 10.12915/pe.2014.05.16 // Przeglad Elektrotechniczny. – 2014. – Vol.90 №5. – P. 75-78. – Режим доступа : http://rep.bntu.by/handle/data/17688. - Журнала нет в фонде библиотеки. – Пер. загл.: [Фотоэлектрические полупроводниковые преобразователи с большим динамическим диапазоном]. – На англ. яз.
Semiconductors with deep multiply charged impurity are proposed as a basis for photodetectors with a large dynamic range of sensitivity. The model of recombination processes is used to develop photodetectors with extended dynamic range and functionality. It is shown that the use of such structures can significantly extend the dynamic range and sensitivity resulting in new functional properties of photodetectors with a simple structure.
621.383.8
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2014г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = ФОТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ