Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере GaP
Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере GaP
Доступно
1 из 1
1 из 1
Книга
Автор:
Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере GaP : (по данным отечественной и зарубежной печати за 1968-1979 гг.)
Серия: Обзоры по электронной технике
Издательство: ЦНИИ "Электроника", 1980 г.
ISBN отсутствует
Автор:
Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере GaP : (по данным отечественной и зарубежной печати за 1968-1979 гг.)
Серия: Обзоры по электронной технике
Издательство: ЦНИИ "Электроника", 1980 г.
ISBN отсутствует
Заказать 
На полку
Книга
621.3 Р17
Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере GaP : (по данным отечественной и зарубежной печати за 1968-1979 гг.) / В.А. Федоров, М.С. Минаждинов, О.Б. Невский, И.Р. Одинцова. – Москва : ЦНИИ "Электроника", 1980. – 22 с. : ил. – (Обзоры по электронной технике ; вып.3(724). Серия 6, Материалы). – На тит. л. авт. не указаны : 0.24.
621.315.592.002(048.8)
общий = ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
общий = ФОСФИД ГАЛЛИЯ
621.3 Р17
Развитие теории и практики эпитаксиального наращивания из жидкой фазы на примере GaP : (по данным отечественной и зарубежной печати за 1968-1979 гг.) / В.А. Федоров, М.С. Минаждинов, О.Б. Невский, И.Р. Одинцова. – Москва : ЦНИИ "Электроника", 1980. – 22 с. : ил. – (Обзоры по электронной технике ; вып.3(724). Серия 6, Материалы). – На тит. л. авт. не указаны : 0.24.
621.315.592.002(048.8)
общий = ЭПИТАКСИАЛЬНОЕ НАРАЩИВАНИЕ
общий = ФОСФИД ГАЛЛИЯ
| Филиал | Всего | Доступно для брони | Доступно для выдачи | Бронирование |
|---|---|---|---|---|
| ОХОФ | 1 | 1 | 1 | Заказать |