Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Шпаковский, С.В. - Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической...
Шпаковский, С.В. - Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической...
Автореферат
Автор: Шпаковский, С.В.
Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической... : автореферат диссертации ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
2012 г.
ISBN отсутствует
Автор: Шпаковский, С.В.
Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической... : автореферат диссертации ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
2012 г.
ISBN отсутствует
На полку
Автореферат
А-36675
Шпаковский, С.В.
Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры: автореферат диссертации ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С.В. Шпаковский; кол. авт. Белорусский государственный университет (Минск). – Минск, 2012. – 23 с.: ил.
общий = КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ
общий = ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
общий = ИМПЕДАНС
А-36675
Шпаковский, С.В.
Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической структуры: автореферат диссертации ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10 / С.В. Шпаковский; кол. авт. Белорусский государственный университет (Минск). – Минск, 2012. – 23 с.: ил.
общий = КРЕМНИЕВЫЕ ДИОДЫ
общий = ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
общий = ИМПЕДАНС
| Филиал | Всего | Доступно для брони | Доступно для выдачи | Бронирование |
|---|---|---|---|---|
| ЧЗ НР | 1 | - | - | Недоступно |