Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Arnaudov, B. - Band-filling effect on the light emission spectra of InGaN/GaN quantum wells with highly doped ba...
Arnaudov, B. - Band-filling effect on the light emission spectra of InGaN/GaN quantum wells with highly doped ba...
Статья
Автор: Arnaudov, B.
Microelectronics Journal: Band-filling effect on the light emission spectra of InGaN/GaN quantum wells with highly doped ba...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Arnaudov, B.
Microelectronics Journal: Band-filling effect on the light emission spectra of InGaN/GaN quantum wells with highly doped ba...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Arnaudov, B.
Band-filling effect on the light emission spectra of InGaN/GaN quantum wells with highly doped barriers / B. Arnaudov, D.S. Domanevski, С. Ivanov, R. Kakanakov // Microelectronics Journal. – 2009. – Vol.40 N2. – P.346-348. - Пер. загл.:[Диапазон воздействия на световой спектр излучения из InGaN / GaN квантовых ям с высоко легированных барьеров].
621.382
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2009г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Экспериментальная и теоретическая физика"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = СВЕТОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
общий = КРИСТАЛЛЫ
общий = СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
Arnaudov, B.
Band-filling effect on the light emission spectra of InGaN/GaN quantum wells with highly doped barriers / B. Arnaudov, D.S. Domanevski, С. Ivanov, R. Kakanakov // Microelectronics Journal. – 2009. – Vol.40 N2. – P.346-348. - Пер. загл.:[Диапазон воздействия на световой спектр излучения из InGaN / GaN квантовых ям с высоко легированных барьеров].
621.382
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2009г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Экспериментальная и теоретическая физика"
труды сотрудников БНТУ = Электроника. Радиоэлектроника (труды)
общий = СВЕТОВОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ
общий = КРИСТАЛЛЫ
общий = СПЕКТРОСКОПИЧЕСКИЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
