Электронный каталог НБ БНТУ

rus

Научная библиотека БНТУ
Режим работы: Пн-Пт.
- читальные залы с 9:00 до 20:00
- абонементы с 9:00 до 19:00
Сб. с 9:00 до 16:45. Вс. - выходной.
Адреса: г. Минск, ул. Я. Коласа, 16 (читальные залы)
пр. Независимости, 65 (абонементы и читальные залы)

ОНЛАЙН-ЗАКАЗ книг из каталога
ФИЛИАЛЫ
КНИГООБЕСПЕЧЕННОСТЬ

Поиск :

Личный кабинет :

Электронный каталог: Булярский, С.В. - Дефектообразование при отжиге эпитаксиальных p-n-переходов на основе фосфида галлия

Булярский, С.В. - Дефектообразование при отжиге эпитаксиальных p-n-переходов на основе фосфида галлия

Дефектообразование при отжиге эпитаксиальных p-n-переходов на основе фосфида галлия

Статья
Автор: Булярский, С.В.
Микроэлектроника: Дефектообразование при отжиге эпитаксиальных p-n-переходов на основе фосфида галлия
б.г.
ISBN отсутствует

На полку

Статья

Булярский, С.В.
Дефектообразование при отжиге эпитаксиальных p-n-переходов на основе фосфида галлия / С.В. Булярский, Н.С. Грушко, Д.В. Казаков // Микроэлектроника / гл. ред. К.А. Валиев; учредитель Российская академия наук, Российская академия наук, Отделение информационных технологий и вычислительных систем. – 2005. – T.34 N1. – С.43-50.

621.315.592

общий = БД Техника
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ