Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Дурнаков, А.А. - Физические основы микро-и наноэлектроники
Дурнаков, А.А. - Физические основы микро-и наноэлектроники
Книга
Автор: Дурнаков, А.А.
Физические основы микро-и наноэлектроники : учебное пособие
Издательство: Флинта, Издательство Уральского университета, 2022 г.
ISBN 9785976550605
Автор: Дурнаков, А.А.
Физические основы микро-и наноэлектроники : учебное пособие
Издательство: Флинта, Издательство Уральского университета, 2022 г.
ISBN 9785976550605
Заказать 
На полку
Книга
621.3 Д84
Дурнаков, А.А.
Физические основы микро-и наноэлектроники: учебное пособие / А. А. Дурнаков; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина. – 2-е издание, стереотипное. – Москва: Флинта; Екатеринбург: Издательство Уральского университета, 2022. – 244, [1]с.: ил., табл., схемы., граф. - Содерж.: Физический эффект и его компоненты ; Однородный полупроводник ; Собственный полупроводник ; Электронный полупроводник ; Дырочный полупроводник ; Уровень Ферми ; Дрейф. Электропроводность ; Генерация и рекомбинация в полупроводниках ; Диффузионный ток. Законы движения носителей заряда в полупроводниках ; Применение однородных полупроводников ; Варисторы ; Терморезисторы ; Фоторезисторы ; p-n Переход ; Равновесное состояние p-n перехода ; Ток в p-n переходе в равновесном состоянии ; Контактная разность потенциалов ; Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном состоянии ; Неравновесное состояние р-n перехода ; Идеальный р-n переход ; Реальный р-n переход ; Эквивалентные схемы реального р-n перехода ; Пробой р-n перехода ; Туннелирование в сильнолегированных р-n переходах ; Гетеропереходы ; Прямосмещенный гетеропереход. - ISBN 9785976550605: 49.00.
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние р-п перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных р-п переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
ГРНТИ 29.19.31
ГРНТИ 29.01.33
ГРНТИ 47.03.05
ГРНТИ 47.01.33
621.382.049.77:53(075.8)
537.311.322(075.8)
общий = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
общий = НАНОЭЛЕКТРОНИКА
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ
общий = ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
общий = ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
общий = ТВЕРДЫЕ ТЕЛА
общий = ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
621.3 Д84
Дурнаков, А.А.
Физические основы микро-и наноэлектроники: учебное пособие / А. А. Дурнаков; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина. – 2-е издание, стереотипное. – Москва: Флинта; Екатеринбург: Издательство Уральского университета, 2022. – 244, [1]с.: ил., табл., схемы., граф. - Содерж.: Физический эффект и его компоненты ; Однородный полупроводник ; Собственный полупроводник ; Электронный полупроводник ; Дырочный полупроводник ; Уровень Ферми ; Дрейф. Электропроводность ; Генерация и рекомбинация в полупроводниках ; Диффузионный ток. Законы движения носителей заряда в полупроводниках ; Применение однородных полупроводников ; Варисторы ; Терморезисторы ; Фоторезисторы ; p-n Переход ; Равновесное состояние p-n перехода ; Ток в p-n переходе в равновесном состоянии ; Контактная разность потенциалов ; Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном состоянии ; Неравновесное состояние р-n перехода ; Идеальный р-n переход ; Реальный р-n переход ; Эквивалентные схемы реального р-n перехода ; Пробой р-n перехода ; Туннелирование в сильнолегированных р-n переходах ; Гетеропереходы ; Прямосмещенный гетеропереход. - ISBN 9785976550605: 49.00.
Пособие содержит описания физических эффектов и их компонентов, классификацию веществ, модели энергетических зон и ковалентных связей, физическое описание собственного и примесного полупроводника, применение и характеристики однородных полупроводников. Рассмотрено равновесное и неравновесное состояние р-п перехода, токи в нем, виды пробоев, туннелирование в сильнолегированных р-п переходах, гетеропереходы, вольтамперные характеристики переходов. В конце пособия приводятся практические и домашние задания.
ГРНТИ 29.19.31
ГРНТИ 29.01.33
ГРНТИ 47.03.05
ГРНТИ 47.01.33
621.382.049.77:53(075.8)
537.311.322(075.8)
общий = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
общий = НАНОЭЛЕКТРОНИКА
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ФИЗИЧЕСКИЕ ОСНОВЫ
общий = ЭЛЕКТРОННО-ДЫРОЧНЫЙ ПЕРЕХОД
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ФИЗИЧЕСКАЯ ЭЛЕКТРОНИКА
общий = ГЕТЕРОПЕРЕХОДЫ
общий = ТВЕРДЫЕ ТЕЛА
общий = ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ