Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Пасынков, В.В. - Полупроводниковые приборы
Пасынков, В.В. - Полупроводниковые приборы
Книга
Автор: Пасынков, В.В.
Полупроводниковые приборы : учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника"
Серия: Высшее образование
Издательство: Лань, 2022 г.
ISBN 9785507443901
Автор: Пасынков, В.В.
Полупроводниковые приборы : учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника"
Серия: Высшее образование
Издательство: Лань, 2022 г.
ISBN 9785507443901
Заказать 
На полку
Книга
621.3 П19
Пасынков, В.В.
Полупроводниковые приборы: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника" / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. – Изд. 10-е, стер. – Санкт-Петербург ; Москва ; Краснодар: Лань, 2022. – 478, [1] с.: ил., табл., схемы, граф. – (Высшее образование) . - Содерж.: Энергетические зоны полупроводников ; Генерация и рекомбинация носителей заряда ; Концентрация носителей заряда в полупроводнике при термодинамическом равновесии ; Собственные полупроводники ; Примесные полупроводники ; Время жизни неравновесных носителей заряда ; Процессы переноса зарядов в полупроводниках ; Температурные зависимости концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми ; Температурные зависимости подвижности носителей заряда и удельной проводимости ; Полупроводники в сильных электрических полях ; Оптические свойства полупроводников ; Фотоэлектрические явления в полупроводниках ; Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои ; Поверхностная рекомбинация ; Проводимость канала поверхностной электроводности ; Электронно-дырочный переход ; Распределение напряженности электрического поля и потенциала в электронно-дырочном переходе ; Омический переход на контакте полупроводников с одним типом электропроводности ; Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником ; Гетеропереходы ; Свойства и. параметры омических переходов ; Полупроводниковые диоды ; Вольт-амперная характеристика диода при инжекции и экстракции носителей заряда ; Графики частотных зависимостей параметров диода ; Физический смысл параметров диода ; Лавинный пробой ; Туннельный пробой ; Тепловой пробой ; Влияние поверхностных состояний на вольт-амперную характеристику диода ; Процессы в диодах при больших прямых токах ; Вольт-амперная характеристика диода в полулогарифмических координатах ; Переходные процессы в диодах ; Выпрямительные плоскостные низкочастотные диоды ; Селеновые выпрямители ; Импульсные диоды ; Диоды Шотки ; Диоды с резким восстановлением обратного сопротивления ; Сверхвысокочастотные диоды ; Стабилитроны ; Стабисторы ; Шумовые диоды ; Лавинно пролетные диоды ; Туннельные диоды ; Обращенные диоды ; Варикапы ; Надежность диодов ; Биполярные транзисторы ; Малосигнальные параметры ; Эквивалентные схемы ; Барьерные емкости переходов и сопротивление базы ; Шумы в транзисторах ; Однопереходные транзисторы ; Надежность транзисторов ; Тиристоры ; Диодные тиристоры ; Диодный тиристор с зашунтированным эмиттерным переходом ; Триодные тиристоры ; Тиристоры, проводящие в обратном направлении ; Симметричные тиристоры ; Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью ; Интегральные микросхемы ; Полупроводниковые приборы на эффекте междолинного перехода электронов ; Принцип действия генераторов Ганна ; Генераторы с ограничением накопления объемного заряда ; Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ; Электролюминесцентные порошковые излучатели ; Электролюминесцентные пленочные излучатели ; Лазеры ; Фоторезисторы ; Фотодиоды ; Полупроводниковые фотоэлементы ; Фототранзисторы и фототнристоры ; Приемники проникающей радиации и корпускулярно преобразовательные приборы ; Оптопары и оптоэлектронные микросхемы ; Терморезисторы ; Болометры ; Позисторы ; Варисторы ; Полупроводниковые приборы на аморфных полупроводниках ; Полупроводниковые термоэлектрические устройства ; Термоэлектрические генераторы ; Холодильники и тепловые насосы ; Полупроводниковые гальваномагнитные приборы ; Преобразователи Холла ; Магниторезисторы ; Магнитодиоды и магнитотранзисторы. - ISBN 9785507443901: 69.00.
В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники.
ГРНТИ 47.01.33
ГРНТИ 47.33.29
ГРНТИ 47.59.49
621.382(075.8)
гриф = есть : Российская Федерация
дисциплины = Государственный компонент : Модуль "Материаловедение" : Материалы электронной техники
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
общий = КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
общий = БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
общий = ТИРИСТОРЫ
общий = ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
общий = ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
общий = НЕЛИНЕЙНЫЕ РЕЗИСТОРЫ
общий = ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
общий = ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ГАЛЬВАНОМЕТРЫ
дисциплины = Компонент учреждения высшего образования : Модуль "Специальные естественнонаучные и технические дисциплины" (магистратура) : Приборы и методы измерений в условиях инновационного развития науки, техники и технологий
дисциплины = Государственный компонент : Модуль "Базовая инженерная подготовка" : Электроника
621.3 П19
Пасынков, В.В.
Полупроводниковые приборы: учебное пособие для студентов высших учебных заведений, обучающихся по направлению подготовки бакалавров и магистров "Электроника и микроэлектроника" и по направлению подготовки дипломированных специалистов "Электроника и микроэлектроника" / В. В. Пасынков, Л. К. Чиркин. – Изд. 10-е, стер. – Санкт-Петербург ; Москва ; Краснодар: Лань, 2022. – 478, [1] с.: ил., табл., схемы, граф. – (Высшее образование) . - Содерж.: Энергетические зоны полупроводников ; Генерация и рекомбинация носителей заряда ; Концентрация носителей заряда в полупроводнике при термодинамическом равновесии ; Собственные полупроводники ; Примесные полупроводники ; Время жизни неравновесных носителей заряда ; Процессы переноса зарядов в полупроводниках ; Температурные зависимости концентрации носителей заряда и положения уровня Ферми ; Температурные зависимости подвижности носителей заряда и удельной проводимости ; Полупроводники в сильных электрических полях ; Оптические свойства полупроводников ; Фотоэлектрические явления в полупроводниках ; Обедненные, инверсные и обогащенные поверхностные слои ; Поверхностная рекомбинация ; Проводимость канала поверхностной электроводности ; Электронно-дырочный переход ; Распределение напряженности электрического поля и потенциала в электронно-дырочном переходе ; Омический переход на контакте полупроводников с одним типом электропроводности ; Выпрямляющие и омические переходы на контакте металла с полупроводником ; Гетеропереходы ; Свойства и. параметры омических переходов ; Полупроводниковые диоды ; Вольт-амперная характеристика диода при инжекции и экстракции носителей заряда ; Графики частотных зависимостей параметров диода ; Физический смысл параметров диода ; Лавинный пробой ; Туннельный пробой ; Тепловой пробой ; Влияние поверхностных состояний на вольт-амперную характеристику диода ; Процессы в диодах при больших прямых токах ; Вольт-амперная характеристика диода в полулогарифмических координатах ; Переходные процессы в диодах ; Выпрямительные плоскостные низкочастотные диоды ; Селеновые выпрямители ; Импульсные диоды ; Диоды Шотки ; Диоды с резким восстановлением обратного сопротивления ; Сверхвысокочастотные диоды ; Стабилитроны ; Стабисторы ; Шумовые диоды ; Лавинно пролетные диоды ; Туннельные диоды ; Обращенные диоды ; Варикапы ; Надежность диодов ; Биполярные транзисторы ; Малосигнальные параметры ; Эквивалентные схемы ; Барьерные емкости переходов и сопротивление базы ; Шумы в транзисторах ; Однопереходные транзисторы ; Надежность транзисторов ; Тиристоры ; Диодные тиристоры ; Диодный тиристор с зашунтированным эмиттерным переходом ; Триодные тиристоры ; Тиристоры, проводящие в обратном направлении ; Симметричные тиристоры ; Полевые транзисторы и приборы с зарядовой связью ; Интегральные микросхемы ; Полупроводниковые приборы на эффекте междолинного перехода электронов ; Принцип действия генераторов Ганна ; Генераторы с ограничением накопления объемного заряда ; Оптоэлектронные полупроводниковые приборы ; Электролюминесцентные порошковые излучатели ; Электролюминесцентные пленочные излучатели ; Лазеры ; Фоторезисторы ; Фотодиоды ; Полупроводниковые фотоэлементы ; Фототранзисторы и фототнристоры ; Приемники проникающей радиации и корпускулярно преобразовательные приборы ; Оптопары и оптоэлектронные микросхемы ; Терморезисторы ; Болометры ; Позисторы ; Варисторы ; Полупроводниковые приборы на аморфных полупроводниках ; Полупроводниковые термоэлектрические устройства ; Термоэлектрические генераторы ; Холодильники и тепловые насосы ; Полупроводниковые гальваномагнитные приборы ; Преобразователи Холла ; Магниторезисторы ; Магнитодиоды и магнитотранзисторы. - ISBN 9785507443901: 69.00.
В книге рассмотрены физические процессы в полупроводниковых приборах и элементах интегральных микросхем, их основные свойства, характеристики и параметры, конструктивно-технологические особенности полупроводниковых приборов в интегральном исполнении и общие принципы микроэлектроники.
ГРНТИ 47.01.33
ГРНТИ 47.33.29
ГРНТИ 47.59.49
621.382(075.8)
гриф = есть : Российская Федерация
дисциплины = Государственный компонент : Модуль "Материаловедение" : Материалы электронной техники
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
общий = КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ДИОДЫ
общий = БИПОЛЯРНЫЕ ТРАНЗИСТОРЫ
общий = ТИРИСТОРЫ
общий = ТЕРМОРЕЗИСТОРЫ
общий = ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ
общий = НЕЛИНЕЙНЫЕ РЕЗИСТОРЫ
общий = ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
общий = ОПТОЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ГАЛЬВАНОМЕТРЫ
дисциплины = Компонент учреждения высшего образования : Модуль "Специальные естественнонаучные и технические дисциплины" (магистратура) : Приборы и методы измерений в условиях инновационного развития науки, техники и технологий
дисциплины = Государственный компонент : Модуль "Базовая инженерная подготовка" : Электроника