Электронный каталог НБ БНТУ

Книга
621.7 К63

Комаров, Ф.Ф.
Ионная и фотонная обработка материалов: учебное пособие для студентов учреждений высшего образования по специальностям "Физическая электроника", "Радиофизика" / Ф. Ф. Комаров, С. В. Константинов. – Минск: Вышэйшая школа, 2022. – 245, [1] с.: ил., табл. - Содерж.: Особенности и возможности метода ионной имплантации ; Оборудование для ионного внедрения ; Системы автоматизированного управления установками ионной имплантации ; Лагранжиан замкнутой системы частиц ; Приведенная масса ; Классическое движение иона в центральном поле ; Потенциалы ионно-атомного взаимодействия ; Сечения рассеяния ; Сечение упругого торможения ; Сечение неупругого торможения ; Пробеги ионов. Профили распределения ионов и выделенной энергии ; Метод моментов распределений ; Высокоэнергетическая ионная имплантация ; Особенности дефектообразования в кремнии при высокоэнергетической ионной имплантации ; Формирование однородно-легированных толстых слоев ; Создание скрытых изолирующих и проводящих слоев на глубине кристалла ; Создание вертикальной изоляции в кремнии и скрытых проводящих слоев ; Ионная имплантация для создания наночастиц и квантовых точек ; Процессы трекообразования при облучении твердых тел ионами высоких энергий. Применение трековой технологии ; Распределение пробегов ионов в двухслойных структурах ; Имплантация атомами отдачи ; Распределение примесей и радиационных дефектов при ионной имплантации через окна в маске ; Влияние эффекта каналирования на пробеги ионов ; Профили распределения атомов имплантированных примесей при высоких флюенсах облучения ; Формулы для расчета коэффициента распыления ; Диффузионное перераспределение примеси ; Каскады атомных столкновений ; Соотношение каскадной теории и эксперимента ; Типы ионно-радиационных дефектов ; Накопление дефектов и аморфизация ; Равновесный термический отжиг имплантированных кристаллов. Твердофазная рекристаллизация аморфных слоев ; Быстрая термообработка ионно-имплантированных слоев ; Температурные поля ; Распределение внедренных примесей при БТО с расплавлением слоя и без него ; Методы измерения параметров имплантированных слоев ; Выбор метода постимплантационных измерений ; Травление р -n -переходов ; Определение типа проводимости ; Методы, основанные на измерении поверхностного сопротивления ; Определение времени жизни неосновных носителей заряда ; Анализ имплантационных слоев с помощью легких высокоэнергетичных ионов ; Обратное резерфордовское рассеяние ; Каналирование и местоположение атомов в кристаллической решетке ; Характеристическое рентгеновское излучение ; Метод ядерных реакций ; Масс-спектроскопия вторичных ионов ; Рентгеноструктурный и фазовый анализ. - ISBN 9789850633958: 28.20.

Изложены современные представления о физике взаимодействия ионных пучков с твердыми телами, рассмотрены вопросы образования и отжига дефектов кристаллической решетки, формирование заданных профилей распределения легирующих атомов. Приведены данные о современном оборудовании, используемом для ионной и фотонной обработки материалов, а также для изменения свойств ионно-имплантированных слоев. Рассмотрены приложения ионной и фотонной обработки в современных технологиях микроэлектроники и твердотельной электроники.

ГРНТИ 55.22.01
ГРНТИ 55.20.15
ГРНТИ 55.01.33
621.7/.9.048.7(075.8)
621.793.184(075.8)

гриф = есть : Республика Беларусь
общий = ОБРАБОТКА МАТЕРИАЛОВ
общий = ПОВЕРХНОСТНАЯ ОБРАБОТКА
общий = ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
общий = ИМПУЛЬСНАЯ ФОТОННАЯ ОБРАБОТКА
общий = ПРОМЫШЛЕННОЕ ПРИМЕНЕНИЕ
общий = РАДИОЭЛЕКТРОННАЯ ПРОМЫШЛЕННОСТЬ
общий = ТЕХНОЛОГИЧЕСКОЕ ОБОРУДОВАНИЕ
дисциплины = Компонент учреждения высшего образования : Модуль "Специальная инженерная подготовка" : Электрофизические и электрохимические методы обработки материалов
дисциплины = Компонент учреждения высшего образования : Модуль "Специальная инженерная подготовка" : Электрофизические и электрохимические методы обработки заготовок