Электронный каталог НБ БНТУ

rus
Научная библиотека БНТУ
Режим работы: Пн-Пт.
- читальные залы с 9:00 до 20:00
- абонементы с 9:00 до 19:00
Сб. с 9:00 до 16:45. Вс. - выходной.
Адреса: г. Минск, ул. Я. Коласа, 16 (читальные залы)
пр. Независимости, 65 (абонементы и читальные залы)

ОНЛАЙН-ЗАКАЗ книг из каталога

ФИЛИАЛЫ

КНИГООБЕСПЕЧЕННОСТЬ

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник авторов

К списку авторов

Шпаковский, С.В.

Сортировать по: заглавию

Связанные описания:

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах
Доступно
 1 из 1
Книга

Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах: пособие для студентов вузов, обучающихся по специальности 1-31 04 01 "Физика (по направлениям)"
Издательский центр БГУ, 2009 г.
ISBN 978-985-518-248-2
ОХОФ


Заказать Заказать

На полку На полку

Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической...
Экз. чит. зала
Автореферат
Шпаковский, С.В.
Реактивный импеданс кремниевых p+-n-диодов, обусловленный радиационными дефектами кристаллической...: автореферат диссертации ... канд. физ.-мат. наук : 01.04.10
2012 г.
ISBN отсутствует
ЧЗ НР


На полку На полку

Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой т...
Статья

Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой т...
Calculation of static parameters of silicon diode containing δ-layer of triple-charged point defects in symmetric p–n-junction
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме ...
Статья

Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме ...
Controlling of Differential Resistance of p–n-Junctions of Bipolar Transistor in Active Mode by Method of Impedance Spectroscopy
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импед...
Статья

Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импед...
Effect of Hole Extraction from the Base Region of a Silicon p–n–p Transistor on its Reactive Impedance
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов
Книга (аналит. описание)
Оджаев, В.Б.
Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.121