Электронный каталог НБ БНТУ

rus
Научная библиотека БНТУ
Режим работы: Пн-Пт.
- читальные залы с 9:00 до 20:00
- абонементы с 9:00 до 19:00
Сб. с 9:00 до 16:45. Вс. - выходной.
Адреса: г. Минск, ул. Я. Коласа, 16 (читальные залы)
пр. Независимости, 65 (абонементы и читальные залы)

ОНЛАЙН-ЗАКАЗ книг из каталога

ФИЛИАЛЫ

КНИГООБЕСПЕЧЕННОСТЬ

Поиск :

  • Новые поступления
  • Простой поиск
  • Расширенный поиск

  • Авторы
  • Издательства
  • Серии
  • Тезаурус (Рубрики)

  • Учебная литература:
    • По дисциплинам
    • По специальностям
    • По специализациям
    • По кафедрам
    • Список дисциплин

  • Информация о фонде
  • Помощь

Личный кабинет :


Электронный каталог: Справочник таблиц УДК

К списку таблиц УДК

621.382.33

Отобрать для печати: страницу | инверсия | сброс | печать(0)
Сортировать по: заглавиюдате издания
Силовые биполярные транзисторы при работе в ключевых режимах
Доступно
 1 из 1
Книга
Веденеев, Г.М.
Силовые биполярные транзисторы при работе в ключевых режимах
Издательство МЭИ, 1992 г.
ISBN 5-7046-0025-5
ОХОФ


Заказать Заказать

На полку На полку

Полупроводниковые приборы с биполярной проводимостью
Доступно
 4 из 4
Книга
Квасков, В.Б.
Полупроводниковые приборы с биполярной проводимостью
Энергоатомиздат, 1988 г.
ISBN 5-283-00567-4
ОХОФ, ОНЛ


Заказать Заказать

На полку На полку

О переходных процессах в ключах на последовательно соединенных биполярных транзисторах с изолиров...
Статья
Малашин, М.В.
О переходных процессах в ключах на последовательно соединенных биполярных транзисторах с изолиров...
б.г.
ISBN отсутствует


На полку На полку

Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме ...
Статья

Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме ...
Controlling of Differential Resistance of p–n-Junctions of Bipolar Transistor in Active Mode by Method of Impedance Spectroscopy
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импед...
Статья

Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импед...
Effect of Hole Extraction from the Base Region of a Silicon p–n–p Transistor on its Reactive Impedance
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального...
Книга (аналит. описание)
Оджаев, В.Б.
Биполярные n-p-n транзисторы в интегральных схемах с расширенным интервалом области максимального...
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

Способ формирования геттерирующего скрытого слоя
Книга (аналит. описание)
Воробей, Роман Иванович
Способ формирования геттерирующего скрытого слоя
Method of formation of the gettering latent layer
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

Методы автоматического определения и стабилизации величины зазора зонд-образец в измерительной си...
Книга (аналит. описание)
Тявловский, Андрей Константинович
Методы автоматического определения и стабилизации величины зазора зонд-образец в измерительной си...
Methods of automatic definition and stabilization of probe-to-sample gap in a Kelvin probe measurement system
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

Inductive Type Impedance of Mo/n-Si Barrier Structures Irradiated with Alpha Particles
Статья

Inductive Type Impedance of Mo/n-Si Barrier Structures Irradiated with Alpha Particles
Импеданс индуктивного типа барьерных структур Mo/n-Si, облучённых альфа-частицами
б.г.
ISBN отсутствует

полный текст


На полку На полку

© Все права защищены ООО "Компания Либэр" , 2009 - 2025  v.20.121