| Наименования дисциплин в соответствии со структурой образовательной программы по годам обучения | Количество обучающихся, изучающих дисциплину | | Обеспечение обучающихся основной учебной и учебно-методической литературой и информационными ресурсами |
| Перечень и реквизиты литературы (автор, название, год и место издания) или адрес ресурса (не более 5-ти на дисциплину) | Количество экз./чел. |
|
| Физические основы МЭМС и НЭМС | --- |
| 1. Микро- и наносистемная техника : пособие для обучающихся по специальности 6-05-0716- 08 "Микро- и наносистемная техника" / ; Министерство образования Республики Беларусь, Белорусский национальный технический университет, Кафедра "Микро- и нанотехника" ; составитель К. С. Люцко. — Минск : БНТУ, 2025. — 43, [1] с. : ил., табл. — Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/161487. — 5761. — ISBN 9789853101447 : 0.83. | 1.00 |
| 2. Белоус, А.И. МЭМС: конструкции, технологии, приложения / А. И. Белоус, С. А. Чижик. — Москва : Техносфера, 2024. — 618 с. : ил., цв. ил., схемы, табл. — (Мир электроники ; VII-81) . — Содерж.: Иллюстрированное введение в проблемы МЭМС ; Датчики силы и крутящего момента ; Датчики давления ; МЭМС-актюаторы: классификация, принципы функционирования ; Микромеханические микродвигатели и МЭМС-транспортеры ; МЭМС-акселерометры: классификация, конструкции, принципы работы ; МЭМС-гироскопы: классификация, конструкции, принципы работы ; МЭМС-устройства генерирования и аккумулирования энергии ; Основы технологии изготовления МЭМС ; Технологии и конструкции оптических МЭМС ; Методы и технологии корпусирования МЭМС-устройств ; Основы проектирования МЭМС ; Методологические основы организации процесса испытаний МЭМС ; Основные области применения МЭМС в автомобилях ; Биомедицинские приложения МЭМС ; СВЧ-приложения МЭМС-технологий ; Наноэлектромеханические системы (НЭМС) ; Инерциальные навигационные системы на основе МЭМС-датчиков. — ISBN 9785948366883 : 66.0. | 0.24 |
| 3. Дурнаков, А.А. Физические основы микро-и наноэлектроники : учебное пособие / А. А. Дурнаков ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина. — 2-е издание, стереотипное. — Москва : Флинта ; Екатеринбург : Издательство Уральского университета, 2022. — 244, [1]с. : ил., табл., схемы., граф. — Содерж.: Физический эффект и его компоненты ; Однородный полупроводник ; Собственный полупроводник ; Электронный полупроводник ; Дырочный полупроводник ; Уровень Ферми ; Дрейф. Электропроводность ; Генерация и рекомбинация в полупроводниках ; Диффузионный ток. Законы движения носителей заряда в полупроводниках ; Применение однородных полупроводников ; Варисторы ; Терморезисторы ; Фоторезисторы ; p-n Переход ; Равновесное состояние p-n перехода ; Ток в p-n переходе в равновесном состоянии ; Контактная разность потенциалов ; Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном состоянии ; Неравновесное состояние р-n перехода ; Идеальный р-n переход ; Реальный р-n переход ; Эквивалентные схемы реального р-n перехода ; Пробой р-n перехода ; Туннелирование в сильнолегированных р-n переходах ; Гетеропереходы ; Прямосмещенный гетеропереход. — ISBN 9785976550605 : 49.00. | 0.75 |
|