Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Knigob Matieres
Печать
/Упрощенная форма/Экспорт (Excel)
Дисциплина: Физические основы МЭМС и НЭМС
| № | Дисциплина | Кафедра | Цикл | Студ. осен. | Студ. весн. | Курс | Сем. | ||||||
| 1 | Физические основы МЭМС и НЭМС | Микро- и нанотехника | Физические основы МЭМС и НЭМС : | 0 | 20 | 2 | 4 | ||||||
| № | Учебная литература | Гриф | Год | Экз. | Осенний сем. | Весенний сем. | ∑ КО | ||||||
| Дисц. | Студ. | КО | Дисц. | Студ. | КО | ||||||||
| 1 | Микро- и наносистемная техника : пособие для обучающихся по специальности 6-05-0716- 08 "Микро- и наносистемная техника" / ; Министерство образования Республики Беларусь, Белорусский национальный технический университет, Кафедра "Микро- и нанотехника" ; составитель К. С. Люцко. — Минск : БНТУ, 2025. — 43, [1] с. : ил., табл. — Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/161487. — 5761. — ISBN 9789853101447 : 0.83. | Республика Беларусь | 2025 | 86 | 0 | 0 | 1.00 | 1 | 20 | 1.00 | 1.00 | ||
| 2 | Белоус, А.И. МЭМС: конструкции, технологии, приложения / А. И. Белоус, С. А. Чижик. — Москва : Техносфера, 2024. — 618 с. : ил., цв. ил., схемы, табл. — (Мир электроники ; VII-81) . — ISBN 9785948366883 : 66.0. | 2024 | 20 | 4 | 84 | 0.24 | 8 | 83 | 0.24 | 0.24 | |||
| 3 | Дурнаков, А.А. Физические основы микро-и наноэлектроники : учебное пособие / А. А. Дурнаков ; Министерство науки и высшего образования Российской Федерации, Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б. Н. Ельцина. — 2-е издание, стереотипное. — Москва : Флинта ; Екатеринбург : Издательство Уральского университета, 2022. — 244, [1]с. : ил., табл., схемы., граф. — Содерж.: Физический эффект и его компоненты ; Однородный полупроводник ; Собственный полупроводник ; Электронный полупроводник ; Дырочный полупроводник ; Уровень Ферми ; Дрейф. Электропроводность ; Генерация и рекомбинация в полупроводниках ; Диффузионный ток. Законы движения носителей заряда в полупроводниках ; Применение однородных полупроводников ; Варисторы ; Терморезисторы ; Фоторезисторы ; p-n Переход ; Равновесное состояние p-n перехода ; Ток в p-n переходе в равновесном состоянии ; Контактная разность потенциалов ; Энергетическая диаграмма p-n перехода в равновесном состоянии ; Неравновесное состояние р-n перехода ; Идеальный р-n переход ; Реальный р-n переход ; Эквивалентные схемы реального р-n перехода ; Пробой р-n перехода ; Туннелирование в сильнолегированных р-n переходах ; Гетеропереходы ; Прямосмещенный гетеропереход. — ISBN 9785976550605 : 49.00. | 2022 | 10 | 0 | 0 | 1.00 | 1 | 20 | 0.50 | 0.75 | |||
| Итого по дисциплине : Физические основы МЭМС и НЭМС | 116 | --- | 0.58 | 0.58 | |||||||||