Электронный каталог НБ БНТУ

Книга (аналит. описание)

Сычик, Василий Андреевич.
Синтез полупроводникового преобразователя оптического излучения = Synthesis of a semiconductor optical radiation converter / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение - 2025 = Instrumentation engineering - 2025: материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13—15 ноября 2025 года, Минск, Республика Беларусь / редакционная коллегия: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: БНТУ, 2025. – С. 101-104. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/162757.

Способ изготовления полупроводникового преобразователя солнечной энергии включает формирование на металлическом основании с внешним выводом слой диэлектрика, делящий основание на первую и вторую область, затем последовательно формируют из широкозонного полупроводника n+-слой на первой области основания, p+-слой на второй области основания, эпитаксиальный слой p-слой на n-слое, эпитаксиальный n-слой на эпитаксиальном p-слое, формируют варизоный эпитаксиальный p-слой на эпитаксиальном p-слое и варизоный эпитаксиальный n-слой на эпитаксиальном n-слое, затем последовательно формируют из более широкозонного полупроводника эпитаксиальный n-слой на варизонном n-слое, эпитаксиальный p-слой на варизонном p-слое, наносят на полученную фоточувствительную структуру просветляющий слой и омические контакты.
A method for manufacturing a semiconductor solar energy converter includes forming a dielectric layer on a metal base with an external terminal, dividing the base into a first and a second region, then sequentially forming an n+ layer on the first region of the base from a wide-band semiconductor, a p+ layer on the second region of the base, an epitaxial p-layer on the n-layer, an epitaxial n-layer on the epitaxial p-layer, forming a graded-gap epitaxial p-layer on the epitaxial p-layer and a graded-gap epitaxial n-layer on the epitaxial n-layer, then sequentially forming an epitaxial nlayer on a graded-gap n-layer from a wider-band semiconductor, an epitaxial p-layer on a graded-gap p-layer, applying an antireflection layer and ohmic contacts to the resulting photosensitive structure.

681.586.5

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2025г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ
общий = СОЛНЕЧНАЯ ЭНЕРГИЯ
общий = ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ОПТИЧЕСКОЕ ИЗЛУЧЕНИЕ