Электронный каталог НБ БНТУ

Книга (аналит. описание)

Сычик, Василий Андреевич.
Полупроводниковый термоэлектрический холодильник = Semiconductor thermoelectric refrigerator / В. А. Сычик, Н. Н. Уласюк // Приборостроение - 2025 = Instrumentation engineering - 2025: материалы 18-й Международной научно-технической конференции, 13—15 ноября 2025 года, Минск, Республика Беларусь / редакционная коллегия: А. И. Свистун (председатель) [и др.]. – Минск: БНТУ, 2025. – С. 97-99. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/162755.

Многослойный термоэлектрический холодильник структурно содержит термоэлектрический преобразователь с омическими контактами и внешними электрическими выводами. Термоэлектрический преобразователь реализован на основе широкозонных полупроводников и включает последовательно соединение n-p-гомопереход, вариозный слой, изотопный p-p+ – гетеропереход, сильно легированные n+ и p+ слои, при этом толщина областей n-p – гомоперехода составляет (0,5–0,9) Ld, толщина вариозного слоя равна (0,3-0,5) Ld, а толщина изотопного гетероперехода составляет (0,4–0,7) Ld, где Ld – диффузионная длина пробега электронов.
The multilayer thermoelectric refrigerator structurally comprises a thermoelectric converter with ohmic contacts and external electrical terminals. The thermoelectric converter is implemented based on wide-bandgap semiconductors and includes a series-connected n-p homojunction, a variozed layer, an isotopic p-p+ heterojunction, and heavily doped n+ and p+ layers. The thickness of the n-p homojunction regions is (0.5–0.9)Ld, the thickness of the variozed layer is (0.3–0.5)Ld, and the thickness of the isotopic heterojunction is (0.4–0.7)Ld, where Ld is the electron diffusion mean free path.

681.586.67

общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2025г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
общий = ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ХОЛОДИЛЬНИКИ
общий = ШИРОКОЗОННЫЕ ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛИ