Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Физика элементов приборных структур
Физика элементов приборных структур
Книга
Автор:
Физика элементов приборных структур : пособие для студентов учреждений высшего образования, обучающихся по специальностям "компьютерная физика", "прикладная физика", "фундаментальная физика", "ядерная физика"
Издательство: БГУ, 2024 г.
ISBN 9789858815912
Автор:
Физика элементов приборных структур : пособие для студентов учреждений высшего образования, обучающихся по специальностям "компьютерная физика", "прикладная физика", "фундаментальная физика", "ядерная физика"
Издательство: БГУ, 2024 г.
ISBN 9789858815912
Книга
53 Ф50
Физика элементов приборных структур: пособие для студентов учреждений высшего образования, обучающихся по специальностям "компьютерная физика", "прикладная физика", "фундаментальная физика", "ядерная физика" / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, Н. Н. Хиеу (N. N. Hieu), Н. И. Горбачук; Белорусский государственный университет. – Минск: БГУ, 2024. – 215 с.: ил. - Авторы указаны на обороте титульного листа. – Содерж.: Конденсированные неупорядоченные системы: физика и применение ; Делокализация электронов и дырок в легированных полупроводниках. Электропроводность на постоянном токе ; Взаимодействие электронов и атомов примесей в кристаллических материалах ; Электрическая проводимость полупроводников на переменном токе ; Поглощение электромагнитного излучения электронами и дырками в 3D кристаллических полупроводниках ; Прыжковая миграция электронов по неподвижным примесям в полупроводниках ; Термоэлектронная эмиссия. Электрический ток, ограниченный объемным зарядом, в вакуумном диоде ; Токи, ограниченные инжектированным зарядом электронов, в кристаллических полупроводниках ; Точечные дефекты в приборных барьерных структурах. Дислокации в кристаллах. Поверхностные таммовские состояния ; Одноэлектронные состояния в квантоворазмерных кристаллических пленках и нитях ; Полупроводниковые сверхрешетки и одиночные квантовые ямы ; Туннелирование электромагнитных волн и электронов сквозь барьеры ; Сканирующий вакуумный туннельный микроскоп ; Эффекты Холла ; Сверхпроводимость твердых тел ; Плотность сверхпроводящего тока: лондоновское приближение ; Эффекты Джозефсона. - ISBN 9789858815912: 34.00.
Дано краткое описание равновесных свойств квазичастиц в трехмерных, двумерных и одномерных системах в конденсированном состоянии. Приводится статистика заполнения электронами и дырками уровней энергии в одиночных и консолидированных полупроводниковых системах различной размерности и их упорядоченности. Рассмотрены элементарные электромагнитные процессы в диэлектриках, полупроводниках, нормальных металлах и сверхпроводниках, а также в элементах приборных структур на их основе.
ГРНТИ 29.19
ГРНТИ 29.01.33
ГРНТИ 47.09
ГРНТИ 47.01.33
ГРНТИ 81.09.03
537.311.322:538.9(075.8)
621.38-03:621.315.5/.61(075.8)
гриф = есть : Республика Беларусь
общий = ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
общий = ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
общий = ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД
общий = ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
общий = ПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
общий = ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ
общий = НАНОМАТЕРИАЛЫ
общий = СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ
53 Ф50
Физика элементов приборных структур: пособие для студентов учреждений высшего образования, обучающихся по специальностям "компьютерная физика", "прикладная физика", "фундаментальная физика", "ядерная физика" / Н. А. Поклонский, С. А. Вырко, Н. Н. Хиеу (N. N. Hieu), Н. И. Горбачук; Белорусский государственный университет. – Минск: БГУ, 2024. – 215 с.: ил. - Авторы указаны на обороте титульного листа. – Содерж.: Конденсированные неупорядоченные системы: физика и применение ; Делокализация электронов и дырок в легированных полупроводниках. Электропроводность на постоянном токе ; Взаимодействие электронов и атомов примесей в кристаллических материалах ; Электрическая проводимость полупроводников на переменном токе ; Поглощение электромагнитного излучения электронами и дырками в 3D кристаллических полупроводниках ; Прыжковая миграция электронов по неподвижным примесям в полупроводниках ; Термоэлектронная эмиссия. Электрический ток, ограниченный объемным зарядом, в вакуумном диоде ; Токи, ограниченные инжектированным зарядом электронов, в кристаллических полупроводниках ; Точечные дефекты в приборных барьерных структурах. Дислокации в кристаллах. Поверхностные таммовские состояния ; Одноэлектронные состояния в квантоворазмерных кристаллических пленках и нитях ; Полупроводниковые сверхрешетки и одиночные квантовые ямы ; Туннелирование электромагнитных волн и электронов сквозь барьеры ; Сканирующий вакуумный туннельный микроскоп ; Эффекты Холла ; Сверхпроводимость твердых тел ; Плотность сверхпроводящего тока: лондоновское приближение ; Эффекты Джозефсона. - ISBN 9789858815912: 34.00.
Дано краткое описание равновесных свойств квазичастиц в трехмерных, двумерных и одномерных системах в конденсированном состоянии. Приводится статистика заполнения электронами и дырками уровней энергии в одиночных и консолидированных полупроводниковых системах различной размерности и их упорядоченности. Рассмотрены элементарные электромагнитные процессы в диэлектриках, полупроводниках, нормальных металлах и сверхпроводниках, а также в элементах приборных структур на их основе.
ГРНТИ 29.19
ГРНТИ 29.01.33
ГРНТИ 47.09
ГРНТИ 47.01.33
ГРНТИ 81.09.03
537.311.322:538.9(075.8)
621.38-03:621.315.5/.61(075.8)
гриф = есть : Республика Беларусь
общий = ФИЗИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
общий = ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
общий = ФИЗИКА КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕД
общий = ЭЛЕКТРОННЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ЭЛЕКТРОННЫЕ МАТЕРИАЛЫ
общий = ПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ МАТЕРИАЛЫ
общий = ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ МАТЕРИАЛЫ
общий = НАНОМАТЕРИАЛЫ
общий = СВОЙСТВА МАТЕРИАЛОВ
| Филиал | Всего | Доступно для брони | Доступно для выдачи | Бронирование |
|---|---|---|---|---|
| Выставка новых поступлений | 1 | - | 1 | Недоступно |
На полку