Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Шпаковский, С.В.
Сортировать по: заглавиюСвязанные описания:
Книга (аналит. описание)
Оджаев, В.Б.
Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов
б.г.
ISBN отсутствует
Оджаев, В.Б.
Влияние ионной имплантации азота на эксплуатационные параметры силовых МОП-транзисторов
б.г.
ISBN отсутствует
На полку 
Статья
Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импед...
Effect of Hole Extraction from the Base Region of a Silicon p–n–p Transistor on its Reactive Impedance
б.г.
ISBN отсутствует
Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импед...
Effect of Hole Extraction from the Base Region of a Silicon p–n–p Transistor on its Reactive Impedance
б.г.
ISBN отсутствует
Книга
Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах: пособие для студентов вузов, обучающихся по специальности 1-31 04 01 "Физика (по направлениям)"
Издательский центр БГУ, 2009 г.
ISBN 978-985-518-248-2
ОХОФ
Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах: пособие для студентов вузов, обучающихся по специальности 1-31 04 01 "Физика (по направлениям)"
Издательский центр БГУ, 2009 г.
ISBN 978-985-518-248-2
ОХОФ
Заказать
Статья
Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме ...
Controlling of Differential Resistance of p–n-Junctions of Bipolar Transistor in Active Mode by Method of Impedance Spectroscopy
б.г.
ISBN отсутствует
Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме ...
Controlling of Differential Resistance of p–n-Junctions of Bipolar Transistor in Active Mode by Method of Impedance Spectroscopy
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой т...
Calculation of static parameters of silicon diode containing δ-layer of triple-charged point defects in symmetric p–n-junction
б.г.
ISBN отсутствует
Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой т...
Calculation of static parameters of silicon diode containing δ-layer of triple-charged point defects in symmetric p–n-junction
б.г.
ISBN отсутствует
