Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Газочувствительные характеристики маломощных полупроводниковых газовых сенсоров при воздействии С...
Газочувствительные характеристики маломощных полупроводниковых газовых сенсоров при воздействии С...
Статья
Автор:
Приборы и методы измерений: Газочувствительные характеристики маломощных полупроводниковых газовых сенсоров при воздействии С...
Gas-Sensitive Characteristics of Low-Power Semiconductor Gas Sensors to CO and H2
б.г.
ISBN отсутствует
Автор:
Приборы и методы измерений: Газочувствительные характеристики маломощных полупроводниковых газовых сенсоров при воздействии С...
Gas-Sensitive Characteristics of Low-Power Semiconductor Gas Sensors to CO and H2
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Газочувствительные характеристики маломощных полупроводниковых газовых сенсоров при воздействии СО и H2 = Gas-Sensitive Characteristics of Low-Power Semiconductor Gas Sensors to CO and H2 / И. А. Таратын [и др.]. – DOI 10.21122/2220-9506-2024-15-1-18-29 // Приборы и методы измерений. – 2024. – Т. 15, № 1. – С. 18-29. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/143221. – На рус. яз.
В связи с жёсткими требованиями по определению концентрации газов в рабочей среде является актуальной разработка полупроводниковых сенсоров для обеспечения оперативного реагирования и безопасности персонала в промышленных и бытовых помещениях. Целью работы являлось исследование газочувствительных и динамических характеристик высокочувствительных маломощных сенсоров, изготовленных на тонких нанопористых подложках с газочувствительными слоями из полупроводниковых оксидов металлов. В этой связи разработана конструкция полупроводникового газового сенсора на подложке из анодного оксида алюминия. Изготовлены датчики с газочувствительными слоями из полупроводниковых оксидов металлов, полученных методом осаждения из водных растворов с последующим отжигом, на основе In2O3+Ga2O3, In2O3+SnO2 и SnO2+Pd, нанесённых на измерительные электроды сенсоров. Проведённые исследования газочувствительных характеристик показали, что максимальной чувствительностью, около 85 %, и высоким быстродействием к воздействию 10 ppm H2 при 410 ºС обладают сенсоры с плёнками из SnO2 с добавлением наночастиц Pd. Наибольшая чувствительность сенсора – 250 % при воздействии 10 ppm CO и температуре 220 ºС достигнута при использовании In2O3+SnO2 , время срабатывания τ90 составило 5 с, тогда как чувствительность In2O3+Ga2O3 и SnO2+Pd была на уровне 30–50 % при 410–420 ºС. Меньшую чувствительность к воздействию водорода показали полупроводниковые оксиды металлов In2O3+Ga2O3 (70 % при 420 ºС) и In2O3+SnO2 (30 % при 250 ºС) при времени срабатывания τ90 = 20 с. Подаваемая мощность на нагреватели сенсоров во всех режимах измерений составляла 28–60 мВт. Полупроводниковые газовые сенсоры с низким энергопотреблением могут быть использованы при разработке систем, обеспечивающих контроль концентрации оксида углерода в рабочей зоне, а также обнаружения ранних стадий возгорания.
Strict requirements for determining of gases concentration in the working environment it is relevant to develop of semiconductor sensors which provide rapid response and safety of personnel in industrial and domestic premises. The aim of the work was to study gas-sensitive and dynamic characteristics of high-sensitive low-power sensors made on thin nanoporous substrates with gas-sensitive layers of semiconductor metal oxides. The low-power semiconductor gas sensor on the anodic alumina substrate has been developed. Sensors with gas-sensitive semiconductor metal oxide layers based on In2O3+Ga2O3, In2O3+SnO2 and SnO2+Pd deposited from aqueous solutions with subsequent firing on sensor information electrodes are manufactured. Studies of gas-sensitive characteristics have shown that sensors with SnO2 films with the addition of Pd nanoparticles have maximum sensitivity of about 85 % and high response rate to 10 ppm H2 at 410 °C. The maximum sensitivity of 250 % to 10 ppm CO at 220 °C was shown by films based on In2O3+SnO2, the response time τ90 was 5 s, while the sensitivity of In2O3+Ga2O3 and SnO2+Pd was 30–50 % at 410–420 ºC. Semiconducting metal oxides In2O3+Ga2O3 (70 % at 420 °C) and In2O3+SnO2 (30 % at 250 °C) showed lower sensitivity to hydrogen, with response time τ90 = 20 s. The sensors power consumption in all measurements was 28–60 mW. Semiconductor gas sensors with low energy consumption can be used in the systems development that monitor the carbon monoxide concentration in the work area, as well as detect ignition's early stages.
621.382.049.77
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Инженерная математика"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ГАЗОВЫЕ СЕНСОРЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СЕНСОРЫ
общий = ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
общий = АНОДНОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ
общий = ОКСИД АЛЮМИНИЯ
Газочувствительные характеристики маломощных полупроводниковых газовых сенсоров при воздействии СО и H2 = Gas-Sensitive Characteristics of Low-Power Semiconductor Gas Sensors to CO and H2 / И. А. Таратын [и др.]. – DOI 10.21122/2220-9506-2024-15-1-18-29 // Приборы и методы измерений. – 2024. – Т. 15, № 1. – С. 18-29. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/143221. – На рус. яз.
В связи с жёсткими требованиями по определению концентрации газов в рабочей среде является актуальной разработка полупроводниковых сенсоров для обеспечения оперативного реагирования и безопасности персонала в промышленных и бытовых помещениях. Целью работы являлось исследование газочувствительных и динамических характеристик высокочувствительных маломощных сенсоров, изготовленных на тонких нанопористых подложках с газочувствительными слоями из полупроводниковых оксидов металлов. В этой связи разработана конструкция полупроводникового газового сенсора на подложке из анодного оксида алюминия. Изготовлены датчики с газочувствительными слоями из полупроводниковых оксидов металлов, полученных методом осаждения из водных растворов с последующим отжигом, на основе In2O3+Ga2O3, In2O3+SnO2 и SnO2+Pd, нанесённых на измерительные электроды сенсоров. Проведённые исследования газочувствительных характеристик показали, что максимальной чувствительностью, около 85 %, и высоким быстродействием к воздействию 10 ppm H2 при 410 ºС обладают сенсоры с плёнками из SnO2 с добавлением наночастиц Pd. Наибольшая чувствительность сенсора – 250 % при воздействии 10 ppm CO и температуре 220 ºС достигнута при использовании In2O3+SnO2 , время срабатывания τ90 составило 5 с, тогда как чувствительность In2O3+Ga2O3 и SnO2+Pd была на уровне 30–50 % при 410–420 ºС. Меньшую чувствительность к воздействию водорода показали полупроводниковые оксиды металлов In2O3+Ga2O3 (70 % при 420 ºС) и In2O3+SnO2 (30 % при 250 ºС) при времени срабатывания τ90 = 20 с. Подаваемая мощность на нагреватели сенсоров во всех режимах измерений составляла 28–60 мВт. Полупроводниковые газовые сенсоры с низким энергопотреблением могут быть использованы при разработке систем, обеспечивающих контроль концентрации оксида углерода в рабочей зоне, а также обнаружения ранних стадий возгорания.
Strict requirements for determining of gases concentration in the working environment it is relevant to develop of semiconductor sensors which provide rapid response and safety of personnel in industrial and domestic premises. The aim of the work was to study gas-sensitive and dynamic characteristics of high-sensitive low-power sensors made on thin nanoporous substrates with gas-sensitive layers of semiconductor metal oxides. The low-power semiconductor gas sensor on the anodic alumina substrate has been developed. Sensors with gas-sensitive semiconductor metal oxide layers based on In2O3+Ga2O3, In2O3+SnO2 and SnO2+Pd deposited from aqueous solutions with subsequent firing on sensor information electrodes are manufactured. Studies of gas-sensitive characteristics have shown that sensors with SnO2 films with the addition of Pd nanoparticles have maximum sensitivity of about 85 % and high response rate to 10 ppm H2 at 410 °C. The maximum sensitivity of 250 % to 10 ppm CO at 220 °C was shown by films based on In2O3+SnO2, the response time τ90 was 5 s, while the sensitivity of In2O3+Ga2O3 and SnO2+Pd was 30–50 % at 410–420 ºC. Semiconducting metal oxides In2O3+Ga2O3 (70 % at 420 °C) and In2O3+SnO2 (30 % at 250 °C) showed lower sensitivity to hydrogen, with response time τ90 = 20 s. The sensors power consumption in all measurements was 28–60 mW. Semiconductor gas sensors with low energy consumption can be used in the systems development that monitor the carbon monoxide concentration in the work area, as well as detect ignition's early stages.
621.382.049.77
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2024г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Инженерная математика"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Микро- и нанотехника"
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ГАЗОВЫЕ СЕНСОРЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СЕНСОРЫ
общий = ДИНАМИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ
общий = АНОДНОЕ ОКСИДИРОВАНИЕ
общий = ОКСИД АЛЮМИНИЯ
