Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Известия высших учебных заведений. Электроника
Известия высших учебных заведений. Электроника
Периодическое издание
Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of Universities. Electronics: научно-технический журнал / гл. ред. Ю.А. Чаплыгин; учредитель Национальный исследовательский университет " Московский институт электронной техники" (МИЭТ). – Москва: МИЭТ. - Выходит 6 раз в год с 1996 г. - ISSN 1561-5405.
Выпуск
047570
Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2023. – Т. 28, № 6. - Содержание: Идентификация структуры наноразмерных слоев многослойных гетерокомпозиций методами просвечивающей электронной микроскопии / Р.Л. Волков, Н. И. Боргардт. Резистивные свойства конструкционных стекол микроканальных пластин / О. Г., И. Б. Ашхотова, Т. Т. Магкоев. Электрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремний / Д. Л. Горошко, И. M. Гаврилин, А. А. Дронов, О. А. Горошко, Л. С. Волкова, Н. Л. Гревцов, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко. Управление составом тонких пленок Mo-Si-N-О при реактивном энном распылении / Д. Г. Громов, С. А. Гаврилов, Е. А. Лебедев, М. В. Силибин, С. В. Дубков, А. В. Аникин, А. И. Погалов, Д. А. Дронова, Д. Д. Бутманов, М. Е. Ширяев, В. Д. Громов, Р. М. Рязанов, Р. А. Шарипов, В. А. Беспалов. Чаплыгин Исследование и разработка процесса глубокого анизотропного ЕЕЕ и энного травления кремния со сниженной шероховатостью боковых стенок структур А. А. Галишников, Н. А. Дюжев, В. В. Парамонов, И. В. Потапенко, М. Г. Путря, Н. М. Сомов, Ю. А. Чаплыгин. Исследования факторов, влияющих на сопротивление контактов в термоэлемента / Е. П. Галишников, Е. В. Нагрешников, М. Ю. Штерн, М. С. Рогачев, Б. Р. Мустафоев, Ю. И. Штерн. Разработка RTL-модели генератора псевдослучайных чисел на основе регистров сдвига с нелинейной обратной связью в каскаде Голлмана / В. А. Соболев, В. В. Лосев. Влияние потерь в соединениях при измерении коэффициента усиления и коэффициента шума на анализа¬торе спектра / Т. Ю. Крупкина, В. В. Лосев, С. Б. Беневоленский, А. И. Хлыбов, Д. В. Родионов. Методика оценки S-параметров высокоскоростных путей передачи сигналов в корпусах микросхем / А. В. Раков, И. В. Шевцов, О. В. Борин, Н. М. Горшкова, Д. В. Скок. Высокоскоростной перестраиваемый КМОП-усилитель-ограничитель для приемника сигнала оптической линии / Н. Ю. Раннее, С. В. Кондратенко, А. В. Дубинский, Н. М. Горшкова, Д. В. Скок. Особенности TCAD- и SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6Т-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм / К. О. Петросянц, Д. С. Силкин, Д. А. Попов, М. Р. Исмаил-Заде, И. А. Харитонов, Л. Е. Переверзев, А. А. Морозов, П. В. Тургенев. Самодвойственные отказоустойчивые структуры с контролем вычислений по паритету. II. Моделирование работы цифровых устройств при неисправностях / Д. В. Ефанов, Т. С. Погодина.
Известия высших учебных заведений. Электроника = Proceedings of Universities. Electronics: научно-технический журнал / гл. ред. Ю.А. Чаплыгин; учредитель Национальный исследовательский университет " Московский институт электронной техники" (МИЭТ). – Москва: МИЭТ. - Выходит 6 раз в год с 1996 г. - ISSN 1561-5405.
Выпуск
047570
Известия высших учебных заведений. Электроника. – 2023. – Т. 28, № 6. - Содержание: Идентификация структуры наноразмерных слоев многослойных гетерокомпозиций методами просвечивающей электронной микроскопии / Р.Л. Волков, Н. И. Боргардт. Резистивные свойства конструкционных стекол микроканальных пластин / О. Г., И. Б. Ашхотова, Т. Т. Магкоев. Электрический транспорт в пористых структурах Si-Ge/c-Si, сформированных электрохимическим осаждением германия в пористый кремний / Д. Л. Горошко, И. M. Гаврилин, А. А. Дронов, О. А. Горошко, Л. С. Волкова, Н. Л. Гревцов, Е. Б. Чубенко, В. П. Бондаренко. Управление составом тонких пленок Mo-Si-N-О при реактивном энном распылении / Д. Г. Громов, С. А. Гаврилов, Е. А. Лебедев, М. В. Силибин, С. В. Дубков, А. В. Аникин, А. И. Погалов, Д. А. Дронова, Д. Д. Бутманов, М. Е. Ширяев, В. Д. Громов, Р. М. Рязанов, Р. А. Шарипов, В. А. Беспалов. Чаплыгин Исследование и разработка процесса глубокого анизотропного ЕЕЕ и энного травления кремния со сниженной шероховатостью боковых стенок структур А. А. Галишников, Н. А. Дюжев, В. В. Парамонов, И. В. Потапенко, М. Г. Путря, Н. М. Сомов, Ю. А. Чаплыгин. Исследования факторов, влияющих на сопротивление контактов в термоэлемента / Е. П. Галишников, Е. В. Нагрешников, М. Ю. Штерн, М. С. Рогачев, Б. Р. Мустафоев, Ю. И. Штерн. Разработка RTL-модели генератора псевдослучайных чисел на основе регистров сдвига с нелинейной обратной связью в каскаде Голлмана / В. А. Соболев, В. В. Лосев. Влияние потерь в соединениях при измерении коэффициента усиления и коэффициента шума на анализа¬торе спектра / Т. Ю. Крупкина, В. В. Лосев, С. Б. Беневоленский, А. И. Хлыбов, Д. В. Родионов. Методика оценки S-параметров высокоскоростных путей передачи сигналов в корпусах микросхем / А. В. Раков, И. В. Шевцов, О. В. Борин, Н. М. Горшкова, Д. В. Скок. Высокоскоростной перестраиваемый КМОП-усилитель-ограничитель для приемника сигнала оптической линии / Н. Ю. Раннее, С. В. Кондратенко, А. В. Дубинский, Н. М. Горшкова, Д. В. Скок. Особенности TCAD- и SPICE-моделирования удара заряженной частицы в 6Т-ячейку статической памяти, изготовленную по КМОП-технологии с проектными нормами 28 нм / К. О. Петросянц, Д. С. Силкин, Д. А. Попов, М. Р. Исмаил-Заде, И. А. Харитонов, Л. Е. Переверзев, А. А. Морозов, П. В. Тургенев. Самодвойственные отказоустойчивые структуры с контролем вычислений по паритету. II. Моделирование работы цифровых устройств при неисправностях / Д. В. Ефанов, Т. С. Погодина.
Филиал | Всего | Доступно для брони | Доступно для выдачи | Бронирование |
---|---|---|---|---|
ОПИ | 1 | - | 1 | Недоступно |