Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Манего, Сергей Анатольевич - Исследование влияния физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных...
Манего, Сергей Анатольевич - Исследование влияния физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных...
Книга (аналит. описание)
Автор: Манего, Сергей Анатольевич
Приборостроение - 2021: Исследование влияния физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных...
Investigation of the influence of physical and technological factors on the structural perfection of near-surface layers InP
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Манего, Сергей Анатольевич
Приборостроение - 2021: Исследование влияния физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных...
Investigation of the influence of physical and technological factors on the structural perfection of near-surface layers InP
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Манего, Сергей Анатольевич.
Исследование влияния физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных слоев InP = Investigation of the influence of physical and technological factors on the structural perfection of near-surface layers InP / С. А. Манего // Приборостроение - 2021 = Instrumentation engineering ― 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2021. – С. 302-304. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/109550. – На рус. яз.
Исследовано влияние физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных слоев подложек фосфида индия. Анализ влияния предэпитаксиального процесса подготовки подложек InP проводился методом дифракции быстрых электронов на отражения и по измерению интегральной интенсивности длинноволновой полосы (1,08 эВ) и коротковолновой полосы (1,41 эВ) люминесценции. Установлено, что минимальные нарушения приповерхностных слоев наблюдались при парциальных давлениях фосфина (3–5)·102 Па, в температурном диапазоне 400–960 К.
The influence of physical and technological factors on the structural perfection of the near-surface layers of indium phosphide substrates is investigated. The influence of the preepitaxial process of preparation of InP substrates was analyzed by fast electron diffraction on reflections and by measuring the integral intensity of the long-wavelength band (1.08 eV) and short-wavelength band (1.41 eV) luminescence. It was found that minimal disturbances of the near-surface layers were observed at partial pressures of phosphine (3–5)·102 Pa, in the temperature range 400–960 K.
621.315.592.2
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2021г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Экспериментальная и теоретическая физика"
труды сотрудников БНТУ = Электротехника (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
общий = ПРИПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ
общий = ФОСФИД ИНДИЯ
Манего, Сергей Анатольевич.
Исследование влияния физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных слоев InP = Investigation of the influence of physical and technological factors on the structural perfection of near-surface layers InP / С. А. Манего // Приборостроение - 2021 = Instrumentation engineering ― 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2021. – С. 302-304. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/109550. – На рус. яз.
Исследовано влияние физико-технологических факторов на структурное совершенство приповерхностных слоев подложек фосфида индия. Анализ влияния предэпитаксиального процесса подготовки подложек InP проводился методом дифракции быстрых электронов на отражения и по измерению интегральной интенсивности длинноволновой полосы (1,08 эВ) и коротковолновой полосы (1,41 эВ) люминесценции. Установлено, что минимальные нарушения приповерхностных слоев наблюдались при парциальных давлениях фосфина (3–5)·102 Па, в температурном диапазоне 400–960 К.
The influence of physical and technological factors on the structural perfection of the near-surface layers of indium phosphide substrates is investigated. The influence of the preepitaxial process of preparation of InP substrates was analyzed by fast electron diffraction on reflections and by measuring the integral intensity of the long-wavelength band (1.08 eV) and short-wavelength band (1.41 eV) luminescence. It was found that minimal disturbances of the near-surface layers were observed at partial pressures of phosphine (3–5)·102 Pa, in the temperature range 400–960 K.
621.315.592.2
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2021г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Экспериментальная и теоретическая физика"
труды сотрудников БНТУ = Электротехника (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
общий = ПРИПОВЕРХНОСТНЫЕ СЛОИ
общий = ФОСФИД ИНДИЯ