Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Бумай, Юрий Александрович - Аппаратура и метод анализа переходных электрических процессов при исследованиях тепловых параметр...
Бумай, Юрий Александрович - Аппаратура и метод анализа переходных электрических процессов при исследованиях тепловых параметр...
Книга (аналит. описание)
Автор: Бумай, Юрий Александрович
Приборостроение - 2021: Аппаратура и метод анализа переходных электрических процессов при исследованиях тепловых параметр...
Equipment and method of analysis of transient electrical processes in studies of thermal parameters of high-power semiconductor devices
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Бумай, Юрий Александрович
Приборостроение - 2021: Аппаратура и метод анализа переходных электрических процессов при исследованиях тепловых параметр...
Equipment and method of analysis of transient electrical processes in studies of thermal parameters of high-power semiconductor devices
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Бумай, Юрий Александрович.
Аппаратура и метод анализа переходных электрических процессов при исследованиях тепловых параметров мощных полупроводниковых приборов = Equipment and method of analysis of transient electrical processes in studies of thermal parameters of high-power semiconductor devices / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. С. Нисс // Приборостроение - 2021 = Instrumentation engineering ― 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2021. – С. 37-39. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/109574. – На рус. яз.
Разработан импеданс- спектрометр тепловых процессов и метод, позволяющие на основе переходных электрических процессов анализировать внутреннюю структуру тепловых сопротивлений мощных полупроводниковых приборов и представлять ее в виде спектра тепловых сопротивлений, соответствующих элементам их конструкций. Разработан метод получения профилей распределения теплового потока по элементам структуры приборов.
An impedance spectrometer of thermal processes and a method have been developed, which allow analyzing the internal structure of thermal resistances of high-power semiconductor devices on the basis of transient electrical processes and presenting it in the form of a spectrum of thermal resistances corresponding to the elements of their designs. A method for obtaining heat flow distribution profiles for the elements of the device structure has been developed.
621.382.018.782.3
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2021г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Экспериментальная и теоретическая физика"
труды сотрудников БНТУ = Научно-исследовательский политехнический институт (НИПИ) : НИИЛ новых конструкционных материалов
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
общий = СПЕКТРОСКОПИЯ
Бумай, Юрий Александрович.
Аппаратура и метод анализа переходных электрических процессов при исследованиях тепловых параметров мощных полупроводниковых приборов = Equipment and method of analysis of transient electrical processes in studies of thermal parameters of high-power semiconductor devices / Ю. А. Бумай, О. С. Васьков, В. С. Нисс // Приборостроение - 2021 = Instrumentation engineering ― 2021: материалы 14-й Международной научно-технической конференции, 17—19 ноября 2021 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2021. – С. 37-39. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/109574. – На рус. яз.
Разработан импеданс- спектрометр тепловых процессов и метод, позволяющие на основе переходных электрических процессов анализировать внутреннюю структуру тепловых сопротивлений мощных полупроводниковых приборов и представлять ее в виде спектра тепловых сопротивлений, соответствующих элементам их конструкций. Разработан метод получения профилей распределения теплового потока по элементам структуры приборов.
An impedance spectrometer of thermal processes and a method have been developed, which allow analyzing the internal structure of thermal resistances of high-power semiconductor devices on the basis of transient electrical processes and presenting it in the form of a spectrum of thermal resistances corresponding to the elements of their designs. A method for obtaining heat flow distribution profiles for the elements of the device structure has been developed.
621.382.018.782.3
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2021г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Экспериментальная и теоретическая физика"
труды сотрудников БНТУ = Научно-исследовательский политехнический институт (НИПИ) : НИИЛ новых конструкционных материалов
труды сотрудников БНТУ = Приборостроение. Ювелирное дело (труды)
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПРИБОРЫ
общий = ТЕПЛОВОЕ СОПРОТИВЛЕНИЕ
общий = СПЕКТРОСКОПИЯ