Электронный каталог НБ БНТУ
rus
Научная библиотека БНТУ
Режим работы: Пн-Пт.
- читальные залы с 9:00 до 20:00
- абонементы с 9:00 до 19:00
Сб. с 9:00 до 16:45. Вс. - выходной.
Адреса: г. Минск, ул. Я. Коласа, 16 (читальные залы)
пр. Независимости, 65 (абонементы и читальные залы)
ОНЛАЙН-ЗАКАЗ книг из каталога
ФИЛИАЛЫ
КНИГООБЕСПЕЧЕННОСТЬ
Поиск :
Новые поступления
Простой поиск
Расширенный поиск
Авторы
Издательства
Серии
Тезаурус (Рубрики)
Учебная литература:
По дисциплинам
По специальностям
По специализациям
По кафедрам
Список дисциплин
Информация о фонде
Помощь
Личный кабинет :
Штрих-код
Пароль
Электронный каталог: Справочник авторов
К списку авторов
Горбачук, Н.И.
Сортировать по:
заглавию
Связанные описания:
Отобрать для печати:
страницу
|
инверсия
|
сброс
|
печать
(
0
)
Статья
Влияние экстракции дырок из базовой области кремниевого p–n–p-транзистора на его реактивный импед...
Effect of Hole Extraction from the Base Region of a Silicon p–n–p Transistor on its Reactive Impedance
б.г.
ISBN отсутствует
полный текст
На полку
Статья
Адамчук, Д.В.
Импедансная спектроскопия поликристаллических пленок диоксида олова
Impedance spectroscopy of polycrystalline tin dioxide films
б.г.
ISBN отсутствует
полный текст
На полку
Доступно
1 из 1
Книга
Исследование переходных процессов в полупроводниковых структурах: пособие для студентов вузов, обучающихся по специальности 1-31 04 01 "Физика (по направлениям)"
Издательский центр БГУ, 2009 г.
ISBN 978-985-518-248-2
ОХОФ
Заказать
На полку
Статья
Контроль дифференциального сопротивления p–n-переходов биполярного транзистора в активном режиме ...
Controlling of Differential Resistance of p–n-Junctions of Bipolar Transistor in Active Mode by Method of Impedance Spectroscopy
б.г.
ISBN отсутствует
полный текст
На полку
Статья
Комаров, А.И.
О роли графеноподобного углерода в формировании покрытий методом микродугового оксидирования
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Доступно
1 из 1
Книга
Поклонский, Н.А.
Основы импедансной спектроскопии композитов: курс лекций
Издательство БГУ, 2005 г.
ISBN 985-485-457-4
ОХОФ
Заказать
На полку
Статья
Расчет статических параметров кремниевого диода, содержащего в симметричном p–n-переходе δ-слой т...
Calculation of static parameters of silicon diode containing δ-layer of triple-charged point defects in symmetric p–n-junction
б.г.
ISBN отсутствует
полный текст
На полку