Наименования дисциплин в соответствии со структурой образовательной программы по годам обучения | Количество обучающихся, изучающих дисциплину | Обеспечение обучающихся основной учебной и учебно-методической литературой и информационными ресурсами |
Перечень и реквизиты литературы (автор, название, год и место издания) или адрес ресурса (не более 5-ти на дисциплину) | Количество экз./чел. |
|
Компоненты нано- и микросистемной техники | 1 |
1. Механика миниатюрных роботов / В.Г. Градецкий. — Москва : Наука, 2010. — 271 с. : ил. — ISBN 978-5-02-036969-6 : 144120.00. | 1.00 |
2. Наноэлектроника : теория и практика : учебник для студентов вузов по специальностям "Микро- и наноэлектронные технологии и системы", "Квантовые информационные системы", "Нанотехнологии и наноматериалы в электронике" / В.Е. Борисенко. — 2-е изд. перераб. и доп. — Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2013. — 360 с. : ил., табл. — (Учебник для высшей школы) . — Режим доступа : http:libsrv24.library.bntu.bytextINET_NEWBorisenko_VEdoc1.pdf. — ISBN 978-5-9963101-5-9 : 18.00. | 1.00 |
3. Наноэлектроника : теория и практика : учебник для студентов высших учебных заведений по специальностям "Микро- и наноэлектронные технологии и системы", "Квантовые информационные системы", "Нанотехнологии и наноматериалы в электронике" / ; [В. Е. Борисенко и др.]. — 2-е издание, переработанное и дополненное. — Москва : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2023. — 366 с. : ил., табл., схемы, граф. — (Учебник для высшей школы) . — Содерж.: Физические основы наноэлектроники ; Фундаментальные явления в низкоразмерных структурах ; Квантовое ограничение ; Баллистический транспорт носителей заряда ; Туннелирование носителей заряда ; Спиновые эффекты ; Элементы низкоразмерных структур ; Свободная поверхность и межфазные границы ; Сверхрешетки ; Моделирование атомных конфигураций ; Структуры с квантовым ограничением, создаваемым внутренним электрическим полем ; Квантовые колодцы ; Модуляционно-легированные структуры ; Дельта-легированные структуры ; Структуры с квантовым ограничением, создаваемым внешним электрическим полем ; Структуры металл/диэлектрик/полупроводник ; Структуры с расщепленным затвором ; Методы формирования наноэлектронных структур ; Традиционные методы формирования пленок ; Химическое осаждение из газовой фазы ; Молекулярно-лучевая эпитаксия ; Электрохимическое осаждение металлов и полупроводников ; Электрохимическое оксидирование металлов и полупроводников ; Методы, основанные на использовании сканирующих зондов ; Атомная инженерия ; Зондовые методы формирования наноструктур ; Нанолитография ; Нанопечать ; Саморегулирующиеся процессы ; Самосборка ; Самоорганизация в объемных материалах ; Самоорганизация при эпитаксии ; Формирование пленок Ленгмюра-Блоджетт ; Формирование и свойства наноструктурированных материалов ; Пористый кремний ; Пористый оксид алюминия ; Пористые оксиды тугоплавких металлов ; Углеродные наноструктуры ; Перенос носителей заряда в низкоразмерных структурах и приборы на их основе ; Транспорт носителей заряда вдоль потенциальных барьеров ; Интерференция электронных волн ; Вольтамперные характеристики низкоразмерных структур ; Квантовый эффект Холла ; Туннелирование носителей заряда через потенциальные барьеры ; Спин-зависимый транспорт носителей заряда ; Гигантское магнитосопротивление ; Спин-контролируемое туннелирование ; Управление спинами носителей заряда в полупроводниках ; Эффект Кондо ; Спинтронные приборы. — ISBN 9785996310159 : 20.00. | 1.00 |
4. Джексон, Р.Г. Новейшие датчики : пер. с / Р.Г. Джексон. — Изд. 2-е, доп. — Москва : Техносфера, 2008. — 397 с. : ил. — (Мир электроники) . — На корешке: VII-35. — ISBN 978-5-948361-68-0 : 35000.00. | 1.00 |
5. Фрайден, Дж. Современные датчики : справочник : пер. с / Дж. Фрайден. — Москва : Техносфера, 2005. — 588 с. : ил. — (Мир электроники) . — Режим доступа : http:Libsrv24.library.bntu.bytextinetFrajden_Dzhdoc1.djvu. — ISBN 5-948360-50-4 : 37640.00. | 1.00 |
6. Мухуров, Н.И. Электромеханические микроустройства / Н.И. Мухуров. — Минск : Беларуская навука, 2012. — 257 с. : ил. — ISBN 978-985-08-1419-7 : 7.30. | 1.00 |
|