Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Жарин, Анатолий Лаврентьевич - Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов ск...
Жарин, Анатолий Лаврентьевич - Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов ск...
Книга (аналит. описание)
Автор: Жарин, Анатолий Лаврентьевич
Приборостроение - 2022: Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов ск...
Characterisation of tunneling oxidation technological process using scanning probe electrometry technique
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Жарин, Анатолий Лаврентьевич
Приборостроение - 2022: Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов ск...
Characterisation of tunneling oxidation technological process using scanning probe electrometry technique
б.г.
ISBN отсутствует
Книга (аналит. описание)
Жарин, Анатолий Лаврентьевич.
Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов сканирующей зондовой электрометрии = Characterisation of tunneling oxidation technological process using scanning probe electrometry technique / А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение - 2022 = Instrumentation engineering ― 2022: материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16—18 ноября 2022 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2022. – С. 126-128. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/124443. – На рус. яз.
Рассмотрено применение установки фотостимулированной сканирующей зондовой электрометрии для выявления дефектов ионно-легированных и диффузионных слоев полупроводниковой пластины после операции туннельного окисления, выполненной в различных технологических режимах. Измерения в двух режимах (измерения контактной разности потенциалов и визуализации длины диффузии неравновесных носителей заряда) являются взаимодополняющими, позволяя выявлять различные виды дефектов на одной и той же поверхности.
A photostimulated scanning probe electrometry device was applied for detecting defects in ion-doped and diffusion layers of a semiconductor wafer after the operation of tunnel oxidation performed in various technological modes. Two modes of measurement (contact potential difference measurements and visualisation of diffusion length of nonequilibrium charge carriers) are shown to be complementary allowing to detect different types of defects on the same wafer.
621.372.831.5
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2022г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
общий = ЭЛЕКТРОМЕТРИЯ
общий = ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ЗОНДЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ
Жарин, Анатолий Лаврентьевич.
Характеризация технологических процессов получения туннельного окисла с использованием методов сканирующей зондовой электрометрии = Characterisation of tunneling oxidation technological process using scanning probe electrometry technique / А. Л. Жарин [и др.] // Приборостроение - 2022 = Instrumentation engineering ― 2022: материалы 15-й Международной научно-технической конференции, 16—18 ноября 2022 г., Минск, Республика Беларусь / [редколлегия: О. К. Гусев (председатель) и др.]. – Минск: БНТУ, 2022. – С. 126-128. – Режим доступа : https://rep.bntu.by/handle/data/124443. – На рус. яз.
Рассмотрено применение установки фотостимулированной сканирующей зондовой электрометрии для выявления дефектов ионно-легированных и диффузионных слоев полупроводниковой пластины после операции туннельного окисления, выполненной в различных технологических режимах. Измерения в двух режимах (измерения контактной разности потенциалов и визуализации длины диффузии неравновесных носителей заряда) являются взаимодополняющими, позволяя выявлять различные виды дефектов на одной и той же поверхности.
A photostimulated scanning probe electrometry device was applied for detecting defects in ion-doped and diffusion layers of a semiconductor wafer after the operation of tunnel oxidation performed in various technological modes. Two modes of measurement (contact potential difference measurements and visualisation of diffusion length of nonequilibrium charge carriers) are shown to be complementary allowing to detect different types of defects on the same wafer.
621.372.831.5
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2022г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Информационно-измерительная техника и технологии"
общий = ЭЛЕКТРОМЕТРИЯ
общий = ИЗМЕРИТЕЛЬНЫЕ ЗОНДЫ
общий = ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ ПЛАСТИНЫ