Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Гацкевич, Елена Ивановна - Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении
Гацкевич, Елена Ивановна - Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении
Статья
Автор: Гацкевич, Елена Ивановна
Письма в Журнал технической физики: Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Гацкевич, Елена Ивановна
Письма в Журнал технической физики: Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Гацкевич, Елена Ивановна.
Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении / Елена Ивановна Гацкевич, Г.Д. Ивлев, В.Л. Малевич // Письма в Журнал технической физики / гл. ред. Ж.И. Алферов; учредитель Российская академия наук, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). – 2015. – Т.41 Вып.1. – С.43-49. – Режим доступа : http://rep.bntu.by/handle/data/42288.
Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава
548
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2015г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Инженерная математика"
труды сотрудников БНТУ = Химия. Химические науки. Химическая технология. Деревообработка (труды)
общий = БИНАРНЫЕ СПЛАВЫ
общий = КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
общий = БИНАРНЫЕ СМЕСИ
общий = КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
общий = ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
общий = ЛАЗЕРНОЕ ОБЛУЧЕНИЕ
общий = ЯЧЕИСТАЯ СТРУКТУРА
Гацкевич, Елена Ивановна.
Образование ячеистой структуры в слоях SiGe при наносекундном лазерном облучении / Елена Ивановна Гацкевич, Г.Д. Ивлев, В.Л. Малевич // Письма в Журнал технической физики / гл. ред. Ж.И. Алферов; учредитель Российская академия наук, Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе (Санкт-Петербург). – 2015. – Т.41 Вып.1. – С.43-49. – Режим доступа : http://rep.bntu.by/handle/data/42288.
Проведено численное моделирование процессов нагрева, плавления и кристаллизации твердого раствора SiGe на кремниевой подложке, происходящих под действием наносекундного лазерного излучения, и проанализирован механизм формирования ячеистых структур из-за сегрегационного разделения элементов на стадии отвердевания бинарного расплава
548
общий = БД Труды научных работников БНТУ : 2015г.
труды сотрудников БНТУ = Приборостроительный факультет : кафедра "Инженерная математика"
труды сотрудников БНТУ = Химия. Химические науки. Химическая технология. Деревообработка (труды)
общий = БИНАРНЫЕ СПЛАВЫ
общий = КРИСТАЛЛИЗАЦИЯ
общий = БИНАРНЫЕ СМЕСИ
общий = КРЕМНИЕВЫЕ СТРУКТУРЫ
общий = ТВЕРДЫЕ РАСТВОРЫ
общий = ЛАЗЕРНОЕ ОБЛУЧЕНИЕ
общий = ЯЧЕИСТАЯ СТРУКТУРА
Привязано к:
Выпуск
Алферов, Ж.И.
Письма в Журнал технической физики Т.41 Вып.1
Наука, Санкт-Петербургское отделение, 2015 г.
ISBN отсутствует
Алферов, Ж.И.
Письма в Журнал технической физики Т.41 Вып.1
Наука, Санкт-Петербургское отделение, 2015 г.
ISBN отсутствует