Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Челядинский, А.Р. - Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике
Челядинский, А.Р. - Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике
Статья
Автор: Челядинский, А.Р.
Вестник Белорусского государственного университета. Серия 1: Физика. Математика. Информатика: Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Челядинский, А.Р.
Вестник Белорусского государственного университета. Серия 1: Физика. Математика. Информатика: Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике
б.г.
ISBN отсутствует
Статья
Челядинский, А.Р.
Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике / А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев // Вестник Белорусского государственного университета. Серия 1: Физика. Математика. Информатика: научно-теоретический журнал / гл. ред. В.Г. Рудь; учредитель Белорусский государственный университет (Минск). – 2011. – N3. – С.10-17.
Проанализирована физика явления замещения по Воткинсу в кремнии и показана возможность его использования
621.315.592
общий = БД Техника
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
общий = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
общий = ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ
Челядинский, А.Р.
Эффект Воткинса в полупроводниках. Явление и приложения в микроэлектронике / А.Р. Челядинский, В.Б. Оджаев // Вестник Белорусского государственного университета. Серия 1: Физика. Математика. Информатика: научно-теоретический журнал / гл. ред. В.Г. Рудь; учредитель Белорусский государственный университет (Минск). – 2011. – N3. – С.10-17.
Проанализирована физика явления замещения по Воткинсу в кремнии и показана возможность его использования
621.315.592
общий = БД Техника
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = МИКРОЭЛЕКТРОНИКА
общий = ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
общий = ИОННАЯ ИМПЛАНТАЦИЯ