Поиск :
Личный кабинет :
Электронный каталог: Васильевский, И.С. - Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs на структурные и электрофизические свойства системы n-...
Васильевский, И.С. - Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs на структурные и электрофизические свойства системы n-...
Статья
Автор: Васильевский, И.С.
Микроэлектроника: Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs на структурные и электрофизические свойства системы n-...
б.г.
ISBN отсутствует
Автор: Васильевский, И.С.
Микроэлектроника: Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs на структурные и электрофизические свойства системы n-...
б.г.
ISBN отсутствует
На полку
Статья
Васильевский, И.С.
Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs на структурные и электрофизические свойства системы n- AlGaAs/GaAs/n-AlGaAs с тонким разделяющим AlAs слоем внутри GaAs / И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Г.В. Ганин, Р.М. Имамов, Е.А. Климов, А.А. Ломов, В.Г. Мокеров, В.В. Сарайкин, М.А. Чуев // Микроэлектроника / гл. ред. К.А. Валиев; учредитель Российская академия наук, Российская академия наук, Отделение информационных технологий и вычислительных систем. – 2005. – T.34 N2. – С.98-109.
621.315.592:54
общий = БД Техника
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ХИМИЯ
Васильевский, И.С.
Влияние легирования барьерных слоев AlGaAs на структурные и электрофизические свойства системы n- AlGaAs/GaAs/n-AlGaAs с тонким разделяющим AlAs слоем внутри GaAs / И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Г.В. Ганин, Р.М. Имамов, Е.А. Климов, А.А. Ломов, В.Г. Мокеров, В.В. Сарайкин, М.А. Чуев // Микроэлектроника / гл. ред. К.А. Валиев; учредитель Российская академия наук, Российская академия наук, Отделение информационных технологий и вычислительных систем. – 2005. – T.34 N2. – С.98-109.
621.315.592:54
общий = БД Техника
общий = ПОЛУПРОВОДНИКИ
общий = ХИМИЯ
